[發明專利]用于集成電路制造的物品、工藝、系統

在審

• 申請號: 201510053757.1
• 申請日: 2007-06-12
• 公開（公告）號: CN104681521A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: Y.閔;D.蘇
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 朱海煜;湯春龍

本分案申請的母案申請日為2007年6月12日、申請號為200780022560.5、發明名稱為“塊體金屬玻璃焊料、發泡塊體金屬玻璃焊料、芯片封裝中的發泡焊料接合墊、裝配其的方法及包含其的系統”。

技術領域

實施例一般涉及集成電路制造。更具體地說，實施例涉及集成電路制造中的電連接。

背景技術

電連接是封裝的集成電路(IC)的重要部分。IC管芯經常制造成諸如處理器等微電子設備。電連接在IC管芯操作期間遇到熱應力。此外，在制造和處理期間，封裝的IC管芯可遇到會損害電連接完整性的物理震擊(shock)。

發明內容

技術方案1.一種用于集成電路制造的物品，包括：

塊體金屬玻璃，其中所述塊體金屬玻璃在從電凸塊、金屬化互連、跡線和接合墊中選擇的宏觀結構構型中，其中，在所述接合墊上形成中間焊料層，所述中間焊料層是塊體金屬玻璃預發泡。

技術方案2.如技術方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃具有從多泡孔泡沫和網狀泡沫選擇的微觀結構發泡構型。

技術方案3.如技術方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃是從ZrAlCuO、ZrAlNiCuO、ZrAlNiCuO、ZrTiAlNiCuO、ZrAlNiCu(Cr,Mo)、ZrAlNiCu(Ag,Pd,Au,Pt)、ZrAlNiCu(Nb,Ta,V)、ZrAlNi(Ag,Pd,Au,Pt)、ZrAlCuPd、ZrNi(Fe,Co)、ZrNi(Pd,Au,Pt)、ZrCuPd、ZrPd、ZrPt或其組合中選擇的鋯合金。

技術方案4.如技術方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃是從HfAlNiCu、HfAlNiCuPd、HfAlNiAg、HfCu(Pd,Pt)或其組合中選擇的鉿合金。

技術方案5.如技術方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃是從TiZrNi、TiZrNiCu或其組合中選擇的鈦合金。

技術方案6.如技術方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃是鐵合金。

技術方案7.如技術方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃從鋯合金、鉿合金、鈦合金、鐵合金或其組合中選擇。

技術方案8.如技術方案1所述的物品，其中所述宏觀結構構型是具有凸塊直徑在大約1μm到大約300μm范圍的電凸塊。

技術方案9.如技術方案1所述的物品，其中所述宏觀結構構型是電凸塊，包括：

發泡焊料核第一材料；以及

焊料襯底第二材料，所述焊料襯底第二材料上布置有所述發泡焊料核第一材料。

技術方案10.如技術方案1所述的物品，其中所述宏觀結構構型是電凸塊，包括：

發泡焊料核第一材料；以及

焊料殼第二材料，所述焊料殼第二材料覆蓋所述發泡焊料核第一材料。

技術方案11.如技術方案1所述的物品，其中所述宏觀結構構型是金屬化互連，并且其中所述塊體金屬玻璃具有從多泡孔泡沫和網狀泡沫中選擇的微觀結構發泡構型。

技術方案12.如技術方案1所述的物品，其中所述宏觀結構構型是包括第一電凸塊和與所述第一電凸塊間隔分開的第二電凸塊的電凸塊。

技術方案13.如技術方案1所述的物品，其中所述宏觀結構構型包括第一電凸塊和與所述第一電凸塊間隔分開的第二電凸塊，以及其中所述第一電凸塊與所述第二電凸塊相鄰并且以少于或等于0.8毫米的間距間隔分開。

技術方案14.如技術方案1所述的物品，其中所述宏觀結構構型是成形在安裝襯底上其板側的電凸塊。

技術方案15.如技術方案1所述的物品，其中所述宏觀結構構型是成形在安裝襯底上其管芯側的電凸塊。

技術方案16.一種用于集成電路制造的物品，包括：

在集成電路設備中的接合墊，其中所述接合墊具有發泡金屬微觀結構構型，其中，所述接合墊包含塊體金屬玻璃，其中，在所述接合墊上形成中間焊料層，所述中間焊料層是塊體金屬玻璃預發泡。

技術方案17.如技術方案16所述的物品，其中所述接合墊包括從鋯合金、鉿合金、鈦合金、鐵合金及其組合中選擇的塊體金屬玻璃。

技術方案18.如技術方案16所述的物品，其中所述發泡金屬微觀結構構型從多泡孔發泡和網狀發泡中選擇。

技術方案19.如技術方案16所述的物品，其中所述接合墊成形在安裝襯底其板側。

技術方案20.如技術方案16所述的物品，其中所述接合墊成形在安裝襯底其管芯側。

技術方案21.一種用于集成電路制造的工藝，包括：