[發明專利]封裝設備和封裝方法有效
| 申請號: | 201510053620.6 | 申請日: | 2015-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN104637843B | 公開(公告)日: | 2017-12-05 |
| 發明(設計)人: | 王偉;孫中元 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02;H01L21/677;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陳源 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 設備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示設備制造技術領域,尤其涉及一種封裝設備和封裝方法。
背景技術
目前發光二極管顯示面板主要采用玻璃封接料(例如:UV膠)進行封裝。在封裝過程中,需要對蓋板玻璃和基板玻璃進行吸附和對位,然后使用紫外光照射位于基板玻璃和蓋板玻璃之間的UV膠,通過UV膠將蓋板玻璃和基板玻璃封裝在一起。
現有的吸附方式主要有真空吸附法和靜電吸附法兩種。如果單純采用真空吸附玻璃的方法,當腔室內處于真空度較高的環境時,被吸附的玻璃基板容易掉落,因此真空吸附方式不能實現高真空工藝的封裝壓合。并且,當需要釋放玻璃基板時,通氣孔的開關會使玻璃基板發生振動,使玻璃基板發生偏移,從而影響貼合對位的精度。
對于靜電吸附的方法,需要根據不同類型的基板設定與之相應的靜電范圍,如果靜電過大,容易對發光二極管器件造成擊穿等問題,如果靜電過小,容易使基板滑落,影響對位精度,操作過程復雜。并且,由于待封裝器件的下方需要照射紫外光,靜電吸附裝置難以同時設置真空吸附功能,容易造成吸附強度過低,導致基板滑落。
發明內容
本發明的目的在于提供一種封裝設備和封裝方法,以在高真空條件下對器件進行封裝。
為解決上述技術問題,作為本發明的第一個方面,提供一種封裝設備,包括相對設置的第一平臺和第二平臺,所述第一平臺能夠朝向或遠離所述第二平臺作往復移動,所述第一平臺上設置有第一電磁裝置,所述封裝設備還包括至少一個能夠被所述第一電磁裝置吸附的磁性貼片,所述磁性貼片的一側用于與所述第一平臺相貼附,所述磁性貼片的另一側用于與待封裝的基板相貼附,且所述基板能夠可分離地固定在所述第一平臺上。
優選地,所述第一平臺上形成有至少一個真空吸附孔,所述真空吸附孔用于將所述待封裝的基板吸附固定在所述第一平臺上。
優選地,所述真空吸附孔的端面形成為方波形或者回字形。
優選地,所述第二平臺上與所述第一電磁裝置相對應的位置設置有第二電磁裝置,所述磁性貼片能夠被所述第二電磁裝置吸附。
優選地,所述第一電磁裝置包括多個電磁感應線圈,多個所述電磁感應線圈至少設置在所述第一平臺上相對的兩側。
優選地,所述磁性貼片包括磁性本體和設置在所述磁性本體上的紫外分離膠,所述紫外分離膠用于與待封裝的基板相貼附。
優選地,所述第一平臺上與所述磁性貼片相貼附的部位設置有凹槽,以使得所述磁性貼片能夠置于所述凹槽中,并且,所述凹槽的深度不大于所述磁性貼片的厚度。
優選地,所述凹槽內設置有可壓縮的調節墊,所述可壓縮的調節墊用于與所述磁性貼片相接觸。
優選地,所述封裝設備還包括貼片載盤,所述貼片載盤上纏繞有載帶,所述磁性貼片可分離地設置在所述載帶上,當所述貼片載盤滾動經過所述第二平臺時,能夠將所述載帶鋪設在所述第二平臺上,并使所述磁性貼片位于所述載帶的朝向所述第一平臺的表面上,當所述第一平臺朝向所述第二平臺移動時,所述磁性貼片能夠被所述第一電磁裝置吸附,并與所述第一平臺相貼附。
優選地,所述磁性貼片通過紫外分離膠可分離地設置在所述載帶上。
優選地,所述封裝設備還包括載帶回收盤,所述載帶回收盤用于在封裝結束后回收空白的載帶。
優選地,所述封裝設備還包括設置在所述第一平臺上遠離所述第二平臺的一側的調節件,所述調節件與驅動裝置相連,用于調整所述第一平臺與所述第二平臺之間的相對位置。
作為本發明的第二個方面,還提供一種使用上述封裝設備的封裝方法,包括以下步驟:
所述封裝方法用于封裝第一基板和第二基板,所述第一基板或所述第二基板上設置有封接料,其特征在于,所述封裝方法包括以下步驟:
開啟所述第一平臺上的第一電磁裝置,使所述磁性貼片貼附在所述第一平臺上;
將第一基板放置在所述第二平臺上,使所述第一平臺朝向所述第二平臺移動,直至所述磁性貼片與所述第一基板相貼附,同時使所述第一基板固定在所述第一平臺上;
使所述第一平臺遠離所述第二平臺,將第二基板放置在所述第二平臺上,并對腔室抽真空;
使所述第一平臺朝向所述第二平臺移動,同時調整所述第一平臺的位置,使所述第一基板與所述第二基板之間準確對位;
關閉所述第一電磁裝置,釋放所述第一基板,使所述第一基板與所述第二基板貼合;
恢復所述腔室的氣壓至標準氣壓,照射所述封接料使之熔化后再固化,完成所述第一基板與所述第二基板的封裝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





