[發明專利]一種半導體有機發光二極管顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201510053149.0
• 申請日: 2015-02-03
• 公開（公告）號: CN104659065B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 劉曉云;姜月秋;李倩;徐送寧
• 申請（專利權）人: 沈陽理工大學
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 沈陽利泰專利商標代理有限公司21209
• 代理人: 李樞

技術領域

本發明涉及半導體發光器件顯示領域，具體涉及一種包含半導體有機發光二極管和薄膜晶體管驅動電路的半導體發光顯示裝置，及該顯示裝置的制造方法。

背景技術

隨著半導體發光器件技術的高速發展，半導體發光顯示裝置技術不斷成熟，也逐漸成為市場上的主要產品。然而，目前所研制的半導體發光顯示裝置存在運行速度慢、清晰度差，產品的使用壽命較低等問題，因而函待解決以上問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種運行速度快、清晰度高、且產品的使用壽命較長的半導體有機發光二極管顯示裝置，該顯示裝置成本低，具有高發光效率和較低的操作電壓。

本發明涉及一種半導體有機發光二極管顯示裝置，包括：基板；位于該基板上的有機發光元件；覆蓋所述有機發光元件且與基板相結合的封裝部。其中，所述有機發光元件包括有機發光二極管、薄膜晶體管和連接電路。所述有機發光二極管的陽極端連接電源電壓VSS，陰極端連接第一薄膜晶體管的源電極，該第一薄膜晶體管的漏電極連接第二薄膜晶體管的源電極，該第二薄膜晶體管的漏電極連接第一電容元件的第一端，且該第二薄膜晶體管的漏電極與該第一電容元件的第一端同時連接電源電壓VDD，該第一電容元件的第二端同時與該第一薄膜晶體管的柵電極和第二電容元件的第一端連接，該第二電容元件的第二端與第三薄膜晶體管的漏電極連接，該第三薄膜晶體管的源電極和柵電極分別與不同的數據線進行連接。其中，所述有機發光二極管包括：陽極；位于陽極上的空穴注入層，通過將聚乙撐二氧噻吩混合聚苯乙烯磺酸的水溶液施加到陽極上并干燥以形成空穴注入層；位于空穴注入層上的空穴傳輸層，其由氟化聚乙烯基咔唑形成；位于空穴傳輸層上的發光層，通過將60重量％作為基質材料的聚乙烯基(2，7-二氟咔唑)、10重量％作為藍色磷光發光材料的[二(4，6-二氟苯基)-吡啶根合-N，C2’]吡啶甲酸合銥以及30重量％作為電子傳輸材料的1，3-二[(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑]苯溶解在甲苯的有機溶劑中而制備的溶液施加到空穴傳輸層上并干燥以形成；位于發光層上的電子傳輸層；位于電子傳輸層上的電子注入層；位于電子注入層上的陰極；其中空穴傳輸層的HOMO能級處于發光層HOMO能級和陽極或空穴注入層的HOMO能級之間，電子傳輸層的LOMO能級處于發光層LOMO能級和陰極或電子注入層的LOMO能級之間。所述第一、第二、第三薄膜晶體管均為底柵型薄膜晶體管，包括：襯底；形成在襯底上的柵電極；形成在柵電極上的柵絕緣層；形成在柵絕緣層上的有機半導體層；形成在有機半導體層上的源電極和漏電極。該第一、第二薄膜晶體管的柵絕緣層使得其開啟電壓VON滿足：VON≤VDD×C1/(C1+C2)的關系，其中，C1表示第一電容元件的電容，C2表示第二電容元件的電容。該封裝部具備交替設置的有機層和無機層，各該有機層的厚度相同，各該無機層的厚度相同且該有機層的厚度大于該無機層的厚度，距離該基板和該有機發光元件最近和最遠的位置處均設置的是無機層。

本發明的半導體有機發光二極管顯示裝置中，所述陽極由ITO、IZO、Pt、Ir、Ni或Pd中的某一種形成。

本發明的半導體有機發光二極管顯示裝置中，所述陰極由ITO、IZO、Pt、Ir、Ni或Pd中的某一種形成。

本發明的半導體有機發光二極管顯示裝置中，所述柵絕緣層的厚度為50-500nm。

本發明的半導體有機發光二極管顯示裝置中，在有機發光二極管的陽極上沉積強拉電子分子層，形成完整偶極層，再在強拉電子分子層上順序分別形成有機發光二極管的各功能層。

本發明的半導體有機發光二極管顯示裝置中，所述強拉電子分子層的材料為十六氟代酞菁銅。