[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510053149.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-02-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104659065B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉曉云;姜月秋;李倩;徐送寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 沈陽(yáng)理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 沈陽(yáng)利泰專利商標(biāo)代理有限公司21209 | 代理人: | 李樞 |
| 地址: | 110159 遼寧省沈*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,包括 :
基板 ;
位于該基板上的有機(jī)發(fā)光元件 ;
覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件且與基板相結(jié)合的封裝部 :具備交替設(shè)置的有機(jī)層和無(wú)機(jī)層,各該有機(jī)層的厚度相同,各該無(wú)機(jī)層的厚度相同且該有機(jī)層的厚度大于該無(wú)機(jī)層的厚度,距離該基板和該有機(jī)發(fā)光元件最近和最遠(yuǎn)的位置處均設(shè)置的是無(wú)機(jī)層 ;
其特征在于,位于該基板上的有機(jī)發(fā)光元件,包括 :
有機(jī)發(fā)光二極管,包括 :陽(yáng)極 ;位于陽(yáng)極上的空穴注入層,通過(guò)將聚乙撐二氧噻吩混合聚苯乙烯磺酸的水溶液施加到陽(yáng)極上并干燥以形成空穴注入層 ;位于空穴注入層上的空穴傳輸層,其由氟化聚乙烯基咔唑形成 ;位于空穴傳輸層上的發(fā)光層,通過(guò)將 60 重量%作為基質(zhì)材料的聚乙烯基 (2,7- 二氟咔唑 )、10 重量%作為藍(lán)色磷光發(fā)光材料的 [ 二 (4,6- 二氟苯基 )- 吡啶根合 -N,C2’] 吡啶甲酸合銥以及 30 重量%作為電子傳輸材料的 1,3- 二[(4- 叔丁基苯基 )-1,3,4- 噁二唑 ] 苯溶解在甲苯的有機(jī)溶劑中而制備的溶液施加到空穴傳輸層上并干燥以形成 ;位于發(fā)光層上的電子傳輸層 ;位于電子傳輸層上的電子注入層 ;位于電子注入層上的陰極 ;其中空穴傳輸層的 HOMO 能級(jí)處于發(fā)光層 HOMO 能級(jí)和陽(yáng)極或空
穴注入層的HOMO能級(jí)之間,電子傳輸層的LOMO能級(jí)處于發(fā)光層 LOMO能級(jí)和陰極或電子注入層的 LOMO 能級(jí)之間 ;
第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第一電容元件、第二電容元件,所述第一、第二、第三薄膜晶體管均為底柵型薄膜晶體管,包括 :襯底 ;形成在襯底上的柵電極 ;形成在柵電極上的柵絕緣層,該第一、第二、第三薄膜晶體管的柵絕緣層使得其開(kāi)啟電
壓 VON 滿足 :VON ≤ VDD×C1/(C1+C2) 的關(guān)系,其中,表示第一電容元件的電容,表示第二電容元件的電容 ;形成在柵絕緣層上的有機(jī)半導(dǎo)體層 ;形成在有機(jī)半導(dǎo)體層上的源電極和漏電極 ;
和連接電路,包括 :所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極端連接電源電壓 VSS,陽(yáng)極端連接第一薄膜晶體管的源電極,該第一薄膜晶體管的漏電極連接第二薄膜晶體管的源電極,該第二薄膜晶體管的漏電極連接第一電容元件的第一端,且該第二薄膜晶體管的漏電極與該第一電容元件的第一端同時(shí)連接電源電壓 VDD,該第一電容元件的第二端同時(shí)與該第一薄膜晶體管的柵電極和第二電容元件的第一端連接,該第二電容元件的第二端與第三薄膜晶體管的漏電極連接,該第三薄膜晶體管的源電極和柵電極分別與不同的數(shù)據(jù)線進(jìn)行連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的半導(dǎo)體有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述陽(yáng)極由ITO、IZO、Pt、Ir、Ni 或 Pd 中的某一種形成,所述陰極由 ITO、IZO、Pt、Ir、Ni 或 Pd 中的某一種形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的半導(dǎo)體有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述柵絕緣層的厚度為 50-500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的半導(dǎo)體有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,還在有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極上沉積有強(qiáng)拉電子分子層,形成完整偶極層,再在強(qiáng)拉電子分子層上順序分別形成有機(jī)發(fā)光二極管的各功能層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述強(qiáng)拉電子分子層的材料為十六氟代酞菁銅。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明





