[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201510051887.1
• 申請日: 2015-01-30
• 公開（公告）號: CN104637955B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 舒適;孫雙;曹占鋒;孔祥春;齊永蓮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)材料由于具有極高的遷移率，得到越來越廣泛的應用。低溫多晶硅可以作為高性能液晶顯示屏(Liquid Crystal Display，LCD)、有源矩陣有機發光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示設備的半導體材料，并且可以將互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)電路集成在玻璃基板上，實現窄邊框和低功耗。

現有技術中頂柵自對準型的低溫多晶硅陣列基板的膜層結構包括：依次設置在襯底基板上的遮光層、緩沖層、低溫多晶硅層、柵極絕緣層、柵極層、層間絕緣層、源漏電極層、有機絕緣層、公共電極層、鈍化層、像素電極層。該陣列基板的制作工藝流程如圖1所示，按照圖1中的低溫多晶硅陣列基板的制作工藝流程可以看到，現有技術中制作低溫多晶硅陣列基板時所需的掩膜板為9道，該制作工藝與現有技術的非晶硅面板的制作工藝相比，更為復雜耗時，嚴重降低了工業化生產產能，增加了成本。

綜上所述，現有技術低溫多晶硅陣列基板制作時需要的掩膜板較多，工藝復雜、成本較高。

發明內容

本發明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以減少掩膜板數量，縮短工藝時間，提高生產效率，節約生產成本。

本發明實施例提供的一種陣列基板的制作方法，所述方法包括：

通過一次構圖工藝在襯底基板上制作遮光層、掃描線和信號線，掃描線和信號線的交叉位置處，信號線/掃描線斷開；

在完成上述步驟的襯底基板上制作緩沖層；

分別通過兩次構圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上依次制作多晶硅有源層和柵極絕緣層；

通過一次構圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上制作柵極、源極、漏極、信號線/掃描線的搭接線和柵極與掃描線連接的連接線；

分別通過四次構圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上依次制作有機絕緣層、公共電極層、鈍化層和像素電極層。

由本發明實施例提供的陣列基板的制作方法，該制作方法包括：通過一次構圖工藝在襯底基板上制作遮光層、掃描線和信號線，掃描線和信號線的交叉位置處，信號線/掃描線斷開；在完成上述步驟的襯底基板上制作緩沖層；分別通過兩次構圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上依次制作多晶硅有源層和柵極絕緣層；通過一次構圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上制作柵極、源極、漏極、信號線/掃描線的搭接線和柵極與掃描線連接的連接線；分別通過四次構圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上依次制作有機絕緣層、公共電極層、鈍化層和像素電極層，由于該方法中遮光層、掃描線和信號線是在同一次構圖工藝過程中制作得到的，因此只需一道掩膜板，該方法中柵極、源極、漏極、信號線/掃描線的搭接線和柵極與掃描線連接的連接線是在同一次構圖工藝過程中制作得到的，因此只需一道掩膜板，本發明實施例提供的陣列基板的制作方法中所需的掩膜板為8道，與現有技術陣列基板的制作方法中需要9道掩膜板相比，減少了掩膜板數量，縮短工藝時間，提高生產效率，節約生產成本。

較佳地，通過構圖工藝制作多晶硅有源層，具體包括：

在緩沖層上沉積一層非晶硅有源層薄膜，對所述非晶硅有源層薄膜進行退火處理，得到多晶硅有源層薄膜；

在所述多晶硅有源層薄膜上涂覆光刻膠，通過掩膜板曝光、顯影后形成光刻膠完全去除區、光刻膠部分去除區和光刻膠完全保留區，其中，所述光刻膠部分去除區對應多晶硅有源層的摻雜區，所述光刻膠完全保留區對應多晶硅有源層的有源區；

通過刻蝕，去除光刻膠完全去除區的多晶硅有源層薄膜，并去除光刻膠部分去除區的光刻膠，暴露出所述多晶硅有源層薄膜；

對暴露出的多晶硅有源層薄膜進行摻雜，形成多晶硅有源層的摻雜區；

去除剩余光刻膠，形成多晶硅有源層的有源區。

較佳地，所述掩膜板為半色調掩膜板或灰色調掩膜板。

較佳地，所述對暴露出的多晶硅有源層薄膜進行摻雜，包括：對暴露出的多晶硅有源層薄膜進行磷離子摻雜。