[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510051887.1
• 申請(qǐng)日: 2015-01-30
• 公開（公告）號(hào): CN104637955B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 舒適;孫雙;曹占鋒;孔祥春;齊永蓮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上制作遮光層、掃描線和信號(hào)線，掃描線和信號(hào)線的交叉位置處，信號(hào)線/掃描線斷開；

在完成上述步驟的襯底基板上制作緩沖層；

分別通過兩次構(gòu)圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上依次制作多晶硅有源層和柵極絕緣層；

通過一次構(gòu)圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上制作柵極、源極、漏極、信號(hào)線/掃描線的搭接線和柵極與掃描線連接的連接線；

分別通過四次構(gòu)圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上依次制作有機(jī)絕緣層、公共電極層、鈍化層和像素電極層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過構(gòu)圖工藝制作多晶硅有源層，具體包括：

在緩沖層上沉積一層非晶硅有源層薄膜，對(duì)所述非晶硅有源層薄膜進(jìn)行退火處理，得到多晶硅有源層薄膜；

在所述多晶硅有源層薄膜上涂覆光刻膠，通過掩膜板曝光、顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分去除區(qū)和光刻膠完全保留區(qū)，其中，所述光刻膠部分去除區(qū)對(duì)應(yīng)多晶硅有源層的摻雜區(qū)，所述光刻膠完全保留區(qū)對(duì)應(yīng)多晶硅有源層的有源區(qū)；

通過刻蝕，去除光刻膠完全去除區(qū)的多晶硅有源層薄膜，并去除光刻膠部分去除區(qū)的光刻膠，暴露出所述多晶硅有源層薄膜；

對(duì)暴露出的多晶硅有源層薄膜進(jìn)行摻雜，形成多晶硅有源層的摻雜區(qū)；

去除剩余光刻膠，形成多晶硅有源層的有源區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜板為半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)暴露出的多晶硅有源層薄膜進(jìn)行摻雜，包括：對(duì)暴露出的多晶硅有源層薄膜進(jìn)行磷離子摻雜。

5.一種如權(quán)利要求1-4任一權(quán)項(xiàng)所述的方法制作得到的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括位于襯底基板上的遮光層、掃描線和信號(hào)線，依次位于遮光層、掃描線和信號(hào)線上的緩沖層、多晶硅有源層、柵極絕緣層，位于柵極絕緣層上的柵極、源極、漏極、搭接線和連接線，依次位于柵極、源極、漏極、搭接線和連接線上的有機(jī)絕緣層、公共電極層、鈍化層、像素電極層；其中，在所述掃描線和信號(hào)線的交叉位置處，信號(hào)線/掃描線斷開，所述搭接線用于將斷開的信號(hào)線/掃描線連接在一起，所述連接線用于連接?xùn)艠O和掃描線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，在所述掃描線和信號(hào)線的交叉位置處信號(hào)線/掃描線斷開，所述搭接線用于將斷開的信號(hào)線/掃描線連接在一起，包括：

信號(hào)線連續(xù)不間斷，掃描線在掃描線和信號(hào)線的交叉位置處斷開，搭接線用于將斷開的掃描線連接在一起；或，

掃描線連續(xù)不間斷，信號(hào)線在掃描線和信號(hào)線的交叉位置處斷開，搭接線用于將斷開的信號(hào)線連接在一起。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層、掃描線和信號(hào)線的材料為金屬鉬。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅的單層膜，或?yàn)檠趸熷a和氧化銦鋅的復(fù)合膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅的單層膜，或?yàn)檠趸熷a和氧化銦鋅的復(fù)合膜。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述裝置包括權(quán)利要求5-9任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板。