[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

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• 申請日: 2015-01-30
• 公開（公告）號: CN104637955B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 舒適;孫雙;曹占鋒;孔祥春;齊永蓮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

通過一次構圖工藝在襯底基板上制作遮光層、掃描線和信號線，掃描線和信號線的交叉位置處，信號線/掃描線斷開；

在完成上述步驟的襯底基板上制作緩沖層；

分別通過兩次構圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上依次制作多晶硅有源層和柵極絕緣層；

通過一次構圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上制作柵極、源極、漏極、信號線/掃描線的搭接線和柵極與掃描線連接的連接線；

分別通過四次構圖工藝在完成上述步驟的襯底基板上依次制作有機絕緣層、公共電極層、鈍化層和像素電極層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，通過構圖工藝制作多晶硅有源層，具體包括：

在緩沖層上沉積一層非晶硅有源層薄膜，對所述非晶硅有源層薄膜進行退火處理，得到多晶硅有源層薄膜；

在所述多晶硅有源層薄膜上涂覆光刻膠，通過掩膜板曝光、顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)、光刻膠部分去除區(qū)和光刻膠完全保留區(qū)，其中，所述光刻膠部分去除區(qū)對應多晶硅有源層的摻雜區(qū)，所述光刻膠完全保留區(qū)對應多晶硅有源層的有源區(qū)；

通過刻蝕，去除光刻膠完全去除區(qū)的多晶硅有源層薄膜，并去除光刻膠部分去除區(qū)的光刻膠，暴露出所述多晶硅有源層薄膜；

對暴露出的多晶硅有源層薄膜進行摻雜，形成多晶硅有源層的摻雜區(qū)；

去除剩余光刻膠，形成多晶硅有源層的有源區(qū)。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜板為半色調掩膜板或灰色調掩膜板。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對暴露出的多晶硅有源層薄膜進行摻雜，包括：對暴露出的多晶硅有源層薄膜進行磷離子摻雜。

5.一種如權利要求1-4任一權項所述的方法制作得到的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括位于襯底基板上的遮光層、掃描線和信號線，依次位于遮光層、掃描線和信號線上的緩沖層、多晶硅有源層、柵極絕緣層，位于柵極絕緣層上的柵極、源極、漏極、搭接線和連接線，依次位于柵極、源極、漏極、搭接線和連接線上的有機絕緣層、公共電極層、鈍化層、像素電極層；其中，在所述掃描線和信號線的交叉位置處，信號線/掃描線斷開，所述搭接線用于將斷開的信號線/掃描線連接在一起，所述連接線用于連接柵極和掃描線。

6.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，在所述掃描線和信號線的交叉位置處信號線/掃描線斷開，所述搭接線用于將斷開的信號線/掃描線連接在一起，包括：

信號線連續(xù)不間斷，掃描線在掃描線和信號線的交叉位置處斷開，搭接線用于將斷開的掃描線連接在一起；或，

掃描線連續(xù)不間斷，信號線在掃描線和信號線的交叉位置處斷開，搭接線用于將斷開的信號線連接在一起。

7.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層、掃描線和信號線的材料為金屬鉬。

8.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅的單層膜，或為氧化銦錫和氧化銦鋅的復合膜。

9.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅的單層膜，或為氧化銦錫和氧化銦鋅的復合膜。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述裝置包括權利要求5-9任一權項所述的陣列基板。