[發明專利]多晶硅太陽能電池及其制作方法

在審

• 申請號: 201510049632.1
• 申請日: 2015-01-30
• 公開（公告）號: CN104733564A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 張紅妹;王濤;馬紅娜
• 申請（專利權）人: 英利集團有限公司;英利能源（中國）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0368;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，尤其涉及一種多晶硅太陽能電池及其制作方法。

背景技術

作為清潔環保的新能源，太陽能電池的應用越來越普遍，而多晶硅太陽能電池因其成本優勢，占有的市場份額很大。現有技術中多晶硅太陽能電池的制作材料主要為多晶硅，而多晶硅在鑄錠過程中會引進含量較高的鐵、銅、鎳等重金屬雜質，而這些重金屬雜質進入硅基體，會成為少數載流子的復合中心，影響少數載流子的壽命，導致多晶硅太陽能電池的轉換效率較低。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種多晶硅太陽能電池及其制作方法，以提高所述多晶硅太陽能電池的轉換效率。

為解決上述問題，本發明實施例提供了如下技術方案：

一種多晶硅太陽能電池的制作方法，包括：對多晶硅基體進行酸溶液清洗；清洗完成后，對所述多晶硅基體進行擴散吸雜；擴散吸雜完成后，對所述多晶硅基體表面進行織構化處理，制成多晶硅太陽能電池。

優選的，所述酸溶液為鹽酸和氫氟酸的混合溶液，其中，所述酸溶液中氫氟酸的質量濃度為5％-20％，所述鹽酸的質量濃度為5％-20％。

優選的，酸洗時間為2min-8min，包括端點值。

優選的，對所述多晶硅基體進行擴散吸雜包括：對所述多晶硅基體進行磷擴散，在所述硅基體表面形成磷重摻雜區域。

優選的，所述磷重摻雜區域的摻雜濃度大于10²¹cm^-3，包括端點值。

優選的，對所述多晶硅基體進行磷擴散，在所述硅基體表面形成磷重摻雜區域包括：將所述多晶硅基體放入擴散管內，在預設溫度下通入氧氣和三氯氧磷，對所述多晶硅基體進行磷擴散，在所述硅基體表面形成磷重摻雜區域。

優選的，所述預設溫度范圍為：580℃-900℃，包括端點值。

優選的，氧氣流量為100sccm-300sccm，包括端點值；三氯氧磷流量為800sccm-2000sccm，包括端點值；通入時間為25min-45min，包括端點值。

優選的，所述太陽能電池的方塊電阻小于40Ω/□。

一種多晶硅太陽能電池，所述多晶硅太陽能電池利用上述任一項所述的制作方法制作而成，其方塊電阻小于40Ω/□。

與現有技術相比，上述技術方案具有以下優點：

本發明實施例所提供的多晶硅太陽能電池的制作方法，先對多晶硅基體進行酸溶液清洗，去除所述多晶硅基體表面吸附的一些金屬離子，避免這些金屬離子在后期制作中進入硅基體內部，然后對所述多晶硅基體進行擴散吸雜，減小所述多晶硅基體內部的金屬雜質離子，從而降低所述多晶硅基體內部的重金屬雜質離子數量，最后在對所述多晶硅基體表面進行織構化處理等常規工藝，制成太陽能電池。由此可見，利用本發明實施例所提供的制作方法制作的多晶硅太陽能電池中，重金屬雜質離子較少，從而提高了其轉換效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明一個實施例所提供的多晶硅太陽能電池的制作方法流程示意圖；

圖2為本發明一個實施例所提供的多晶硅太陽能電池的制作方法中，步驟3的流程示意圖。

具體實施方式

正如背景技術部分所述，現有技術中多晶硅太陽能電池的制作材料主要為多晶硅，而多晶硅在鑄錠過程中會引進含量較高的鐵、銅、鎳等重金屬雜質，影響少數載流子的壽命，導致多晶硅太陽能電池的轉換效率較低。

發明人研究發現，這是由于重金屬雜質在高溫條件下，進入硅基體的內部，會形成深能級，而復合中心的能級越深，少子的壽命就越短，因此，制作太陽能電池的多晶硅中重金屬的雜質含量越高，相應制成的多晶硅太陽能電池的轉換效率越低。

有鑒于此，本發明實施例提供了一種多晶硅太陽能電池的制作方法，包括：

對多晶硅基體進行酸溶液清洗；

清洗完成后，對所述多晶硅基體進行擴散吸雜；

擴散吸雜完成后，對所述多晶硅基體表面進行織構化處理，制成太陽能電池。

相應的，本發明實施例還提供了一種利用上述制作方法制作的多晶硅太陽能電池。