[發明專利]多晶硅太陽能電池及其制作方法

在審

• 申請號: 201510049632.1
• 申請日: 2015-01-30
• 公開（公告）號: CN104733564A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 張紅妹;王濤;馬紅娜
• 申請（專利權）人: 英利集團有限公司;英利能源（中國）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0368;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種多晶硅太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：

對多晶硅基體進行酸溶液清洗；

清洗完成后，對所述多晶硅基體進行擴散吸雜；

擴散吸雜完成后，對所述多晶硅基體表面進行織構化處理，制成多晶硅太陽能電池。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述酸溶液為鹽酸和氫氟酸的混合溶液，其中，所述酸溶液中氫氟酸的質量濃度為5％-20％，所述鹽酸的質量濃度為5％-20％。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述酸洗時間為2min-8min，包括端點值。

4.根據權利要求1-3任一項所述的制作方法，其特征在于，對所述多晶硅基體進行擴散吸雜包括：

對所述多晶硅基體進行磷擴散，在所述硅基體表面形成磷重摻雜區域。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述磷重摻雜區域的摻雜濃度大于10²¹cm^-3，包括端點值。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，對所述多晶硅基體進行磷擴散，在所述硅基體表面形成磷重摻雜區域包括：

將所述多晶硅基體放入擴散管內，在預設溫度下通入氧氣和三氯氧磷，對所述多晶硅基體進行磷擴散，在所述硅基體表面形成磷重摻雜區域。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述預設溫度范圍為：580℃-900℃，包括端點值。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，氧氣流量為100sccm-300sccm，包括端點值；三氯氧磷流量為800sccm-2000sccm，包括端點值；通入時間為25min-45min，包括端點值。

9.根據權利要求5-8任一項所述的制作方法，其特征在于，所述太陽能電池的方塊電阻小于40Ω/□。

10.一種多晶硅太陽能電池，其特征在于，所述多晶硅太陽能電池利用權利要求1-9任一項所述的制作方法制作而成，其方塊電阻小于40Ω/□。