[發(fā)明專利]CIS產(chǎn)品TSV孔底部PAD表面絕緣層的刻蝕方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510048223.X
• 申請(qǐng)日: 2015-01-30
• 公開（公告）號(hào): CN104600026A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮光建;張文奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海海頌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31258
• 代理人: 任益

1.一種CIS產(chǎn)品TSV孔底部PAD表面絕緣層的刻蝕方法，其特征在于：其包括以下步驟：

（1）、在晶圓背表面沉積第一絕緣層；

（2）、通過黃光和蝕刻工藝刻蝕出TSV孔；

（3）、在TSV孔內(nèi)和第一上沉積第二絕緣層；

（4）、對(duì)開TSV孔的一面進(jìn)行整面刻蝕，將孔內(nèi)PAD上面絕緣層去除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIS產(chǎn)品TSV孔底部PAD表面絕緣層的刻蝕方法，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層為具有絕緣能力的無機(jī)氧化物或者有機(jī)絕緣物質(zhì)膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種CIS產(chǎn)品TSV孔底部PAD表面絕緣層的刻蝕方法，其特征在于，所述無機(jī)氧化物為氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種CIS產(chǎn)品TSV孔底部PAD表面絕緣層的刻蝕方法，其特征在于，所述絕緣物質(zhì)膜為涂布光阻、電泳漆、高分子薄膜、干膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIS產(chǎn)品TSV孔底部PAD表面絕緣層的刻蝕方法，其特征在于，步驟（2）中，黃光工藝包括光阻涂布、曝光顯影工藝，刻蝕采用干法刻蝕。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIS產(chǎn)品TSV孔底部PAD表面絕緣層的刻蝕方法，其特征在于，步驟（4）中，整面刻蝕為干法刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種CIS產(chǎn)品TSV孔底部PAD表面絕緣層的刻蝕方法，其特征在于，第一絕緣層的刻蝕速率與晶圓體的刻蝕速率一致。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的一種CIS產(chǎn)品TSV孔底部PAD表面絕緣層的刻蝕方法，其特征在于，第一絕緣層與第二絕緣層采用不同的材料。