[發(fā)明專利]基板處理裝置、加熱裝置、頂壁隔熱體及半導(dǎo)體器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510047667.1 | 申請日: | 2015-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN104835758B | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小杉哲也;竹脅基哉;上野正昭;村田等 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日立國際電氣 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人: | 陳偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 加熱 隔熱 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板處理裝置、加熱裝置、頂壁隔熱體及半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)
作為基板處理裝置的一個(gè)例子存在半導(dǎo)體制造裝置,而且作為半導(dǎo)體制造裝置的一個(gè)例子,已知有縱型擴(kuò)散-CVD裝置。在這樣的基板處理裝置中,使用在處理基板時(shí)用于加熱該基板的加熱裝置。
作為該加熱裝置的一個(gè)例子,已知如下技術(shù),具有:設(shè)于反應(yīng)容器外側(cè)的環(huán)狀的側(cè)壁隔熱體;設(shè)于側(cè)壁隔熱體的內(nèi)表面上的發(fā)熱體;和設(shè)于側(cè)壁隔熱體上部的頂壁隔熱體,通過發(fā)熱體加熱反應(yīng)容器內(nèi)的基板,并且向反應(yīng)容器與側(cè)壁隔熱體之間的空間供給冷卻氣體而將加熱后的基板冷卻(例如專利文獻(xiàn)1)。
在專利文獻(xiàn)1記載的加熱裝置中,被供給至反應(yīng)容器與側(cè)壁隔熱體之間的空間中的冷卻氣體經(jīng)由頂壁隔熱體而向加熱裝置的外部排出。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-311775號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
在上述的加熱裝置中,在要經(jīng)由頂壁隔熱體將冷卻氣體排出的情況下,由于需要將冷卻氣體的氣道設(shè)于頂壁隔熱體,所以有可能根據(jù)頂壁隔熱體的部位不同而在隔熱性上產(chǎn)生差別,從而導(dǎo)致基板的面內(nèi)溫度均勻性降低。
鑒于上述課題,本發(fā)明的目的在于,提供一種能夠使基板的面內(nèi)溫度均勻性提高的基板處理裝置、加熱裝置、頂壁隔熱體及半導(dǎo)體器件的制造方法。
用于解決課題的手段
本發(fā)明的一個(gè)方式的基板處理裝置具有:收納基板的反應(yīng)容器;以及加熱裝置,其具有設(shè)于所述反應(yīng)容器的外周的側(cè)壁隔熱體、設(shè)于所述側(cè)壁隔熱體的上部的頂壁隔熱體、設(shè)于所述側(cè)壁隔熱體的內(nèi)壁上的發(fā)熱體、和設(shè)于所述反應(yīng)容器與所述側(cè)壁隔熱體之間的冷卻氣體的流路,所述頂壁隔熱體以使其厚度形成為與中心側(cè)相比外緣側(cè)較小的方式,在內(nèi)部設(shè)有供所述冷卻氣體通過的氣道。
本發(fā)明的一個(gè)方式的加熱裝置具有:設(shè)于反應(yīng)容器的外周的側(cè)壁隔熱體、設(shè)于所述側(cè)壁隔熱體的上部的頂壁隔熱體、設(shè)于所述側(cè)壁隔熱體的內(nèi)壁上的發(fā)熱體、和設(shè)于所述反應(yīng)容器與所述側(cè)壁隔熱體之間的冷卻氣體的流路,所述頂壁隔熱體以使其實(shí)心截面積形成為與中心側(cè)相比外緣側(cè)較小的方式,在內(nèi)部設(shè)有供所述冷卻氣體通過的氣道。
本發(fā)明的一個(gè)方式的頂壁隔熱體是設(shè)于基板處理裝置中所使用的加熱裝置的側(cè)壁隔熱體的上部的頂壁隔熱體,所述頂壁隔熱體以使其實(shí)心截面積形成為與中心側(cè)相比外緣側(cè)較小的方式,在內(nèi)部設(shè)有供所述冷卻氣體通過的氣道。
本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體器件的制造方法為,在冷卻氣體流路和氣道中流過冷卻氣體而對收納于所述反應(yīng)容器中的基板進(jìn)行冷卻,其中,該冷卻氣體流路設(shè)于反應(yīng)容器與位于其外周的側(cè)壁隔熱體之間,該氣道設(shè)置在位于所述側(cè)壁隔熱體的上部的頂壁隔熱體的內(nèi)部,且是以使所述頂壁隔熱體的實(shí)心截面積形成為與所述頂壁隔熱體的中心側(cè)相比外緣側(cè)較小的方式設(shè)置成的。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,能夠使基板的面內(nèi)溫度均勻性提高。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的剖視圖。
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的加熱器的概略情況的立體圖。
圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式的頂壁隔熱體的放大剖視圖。
圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式的下部隔熱件的俯視圖。
圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式的下部隔熱件的仰視圖。
圖6是圖4中的下部隔熱件的A-A線剖視圖。
圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式的上部隔熱件的俯視圖。
圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式的上部隔熱件的仰視圖。
圖9是圖8中的上部隔熱件的B-B線剖視圖。
圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的頂壁隔熱件的內(nèi)部中的冷卻氣體的流動的說明圖。
圖11是表示使用本發(fā)明的實(shí)施方式的加熱器時(shí)的晶片的截面溫度分布的說明圖。
圖12是表示使用本發(fā)明的實(shí)施方式的加熱器時(shí)的晶片的溫度變化的圖。
圖13是表示不具有基于本發(fā)明的實(shí)施方式的冷卻氣體實(shí)現(xiàn)的冷卻功能的加熱器的例子的概略圖。
圖14是表示使用圖13所示的加熱器時(shí)的晶片的截面溫度分布的說明圖。
圖15是表示使用圖13所示的加熱器時(shí)的晶片的溫度變化的圖。
圖16是表示具有基于冷卻氣體實(shí)現(xiàn)的冷卻功能的加熱器的例子的概略圖。
圖17是表示使用圖16所示的加熱器時(shí)的晶片的截面溫度分布的說明圖。
圖18是表示具有基于冷卻氣體實(shí)現(xiàn)的冷卻功能的加熱器的其他例子的概略圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社日立國際電氣,未經(jīng)株式會社日立國際電氣許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510047667.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





