[發明專利]基板處理裝置、加熱裝置、頂壁隔熱體及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201510047667.1
• 申請日: 2015-01-29
• 公開（公告）號: CN104835758B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 小杉哲也;竹脅基哉;上野正昭;村田等
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 陳偉

1.一種頂壁隔熱體，設于處理基板的基板處理裝置中所使用的加熱裝置的側壁隔熱體的上部，其特征在于，

所述頂壁隔熱體以具有使其實心截面積形成為與中心側相比外緣側較小的部分的方式，在內部設有供冷卻氣體通過的氣道，

而且，所述頂壁隔熱體具有上部隔熱件和下部隔熱件，

在所述上部隔熱件及所述下部隔熱件中的至少一方，形成有在俯視觀察下配置在與所述基板相比為外側的位置、且以所述頂壁隔熱體的中央部為中心的圓弧狀的凹部，

所述凹部構成所述氣道的一部分。

2.根據權利要求1所述的頂壁隔熱體，其特征在于，

所述凹部隔著所述頂壁隔熱體的水平面上的任意中心線而對稱地形成。

3.根據權利要求1所述的頂壁隔熱體，其特征在于，

所述氣道構成為，在垂直截面中形成于所述上部隔熱件的氣道比設置于所述下部隔熱件的氣道更寬地形成。

4.根據權利要求1所述的頂壁隔熱體，其特征在于，

所述氣道構成為，在垂直截面中形成于所述下部隔熱件的氣道比設置于所述上部隔熱件的氣道更寬地形成。

5.根據權利要求1所述的頂壁隔熱體，其特征在于，

所述氣道設有多個，在各個所述氣道之間設有將所述凹部空間上分離的隔熱壁。

6.根據權利要求1所述的頂壁隔熱體，其特征在于，

所述氣道設有多個，在多個所述氣道上分別設有將所述冷卻氣體導入的導入口和將所導入的所述冷卻氣體排出的排出口。

7.根據權利要求6所述的頂壁隔熱體，其特征在于，

分別設于多個所述氣道上的所述導入口，設置成在以所述頂壁隔熱體的中央部為中心的同心圓上各自的間隔為180°。

8.根據權利要求6所述的頂壁隔熱體，其特征在于，

分別設于多個所述氣道上的所述排出口在所述頂壁隔熱體的側面上相鄰地設置。

9.一種加熱裝置，具有權利要求1至8中任一項所述的頂壁隔熱體，其特征在于，

所述加熱裝置還具有：設于反應容器的外周的側壁隔熱體、設于所述側壁隔熱體的內壁上的發熱體、和設于所述反應容器與所述側壁隔熱體之間的冷卻氣體的流路。

10.一種基板處理裝置，具有權利要求9所述的加熱裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置設有收納基板的反應容器。

11.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，

通過加熱裝置對收納于反應容器中的基板進行加熱處理，其中，該加熱裝置具有：設于所述反應容器的外周的側壁隔熱體；設于所述側壁隔熱體的上部的頂壁隔熱體；設于所述側壁隔熱體的內壁上的發熱體；以及設于所述反應容器與所述側壁隔熱體之間的冷卻氣體的流路，在所述頂壁隔熱體中，以具有使其實心截面積形成為與中心側相比外緣側較小的部分的方式，在內部設有供所述冷卻氣體通過的氣道，而且，所述頂壁隔熱體具有上部隔熱件和下部隔熱件，在所述上部隔熱件及所述下部隔熱件中的至少一方，形成有在俯視觀察下配置在與所述基板相比為外側的位置、且以所述頂壁隔熱體的中央部為中心的圓弧狀的凹部，所述凹部構成所述氣道的一部分。