[發明專利]電子器件和用于制造電子器件的方法

在審

• 申請號: 201510042659.8
• 申請日: 2015-01-28
• 公開（公告）號: CN104810298A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: M.欣德勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/58;H01L23/488;H01L23/10;H01L25/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;徐紅燕

1.一種用于制造電子器件的方法，所述方法包括：

提供都連接到輸送裝置的第一半導體芯片和第二半導體芯片；

提供載體；

將所述第一半導體芯片和第二半導體芯片同時附著到所述載體；以及

其中附著所述第一半導體芯片包括焊接，而附著所述第二半導體芯片包括膠合。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述輸送裝置包括粘合箔。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一半導體芯片和第二半導體芯片附著到所述載體，使得所述第一半導體芯片和第二半導體芯片的第二主面面向所述載體，且所述第一半導體芯片和第二半導體芯片中與所述第二主面相對的第一主面是共面的。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述方法是配置成并行地制造多個半導體器件的分批方法。

5.如權利要求1所述的方法，其中將所述第一半導體芯片和第二半導體芯片附著到所述載體包括施加不大于260℃的熱。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述第二半導體芯片包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面；

其中所述第二半導體芯片被定向成使得它的第二主面面向所述載體；以及

其中在膠合期間，膠被施加，使得所述膠包括與所述第二半導體芯片的所述第一主面共面的上面。

7.如權利要求2所述的方法，還包括：

移除所述粘合箔。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述載體包括配置成保持所述第二半導體芯片的腔。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述載體包括引線框。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述第一半導體芯片和第二半導體芯片包括集成電路芯片、功率芯片和二極管中的一個或多個。

11.一種電子器件，包括：

第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片和第二半導體芯片均包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面；以及

載體，

其中所述第一半導體芯片使用焊料附著到所述載體，使得它的第二主面面向所述載體，

其中所述第二半導體芯片使用膠附著到所述載體，使得它的第二主面面向所述載體，

其中所述膠包括與所述第二半導體芯片的所述第一主面共面的上面。

12.如權利要求11所述的電子器件，其中所述第一半導體芯片的所述第一主面與所述第二半導體芯片的所述第一主面共面，使得在共面性中的誤差不大于20μm。

13.如權利要求11所述的電子器件，還包括第三半導體芯片。

14.如權利要求11所述的電子器件，還包括配置成密封所述第一半導體芯片和第二半導體芯片的密封劑。

15.如權利要求14所述的電子器件，其中所述密封劑包括鑄模和層壓材料中的一個或多個。

16.如權利要求11所述的電子器件，其中所述膠被配置成從所述第二半導體芯片耗散掉熱。

17.如權利要求11所述的電子器件，其中所述第二半導體芯片電連接到所述載體。

18.一種電子器件，包括：

第一半導體芯片和第二半導體芯片，每一個半導體芯片包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面；以及

載體，

其中所述第一半導體芯片使用焊料附著到所述載體，使得它的第二主面面向所述載體，

其中所述第二半導體芯片使用膠附著到所述載體，使得它的第二主面面向所述載體，

其中在所述第一半導體芯片的所述第一主面所跨越的第一平面和所述第二半導體芯片的所述第一主面所跨越的第二平面之間的高度差不大于20μm。

19.如權利要求18所述的電子器件，其中所述第一半導體芯片和第二半導體芯片示出不大于5μm的在厚度上的差異。

20.如權利要求18所述的電子器件，其中所述第一半導體芯片和第二半導體芯片中的一個具有水平晶體管結構，而另一半導體芯片具有垂直晶體管結構。