[發明專利]電子器件和用于制造電子器件的方法在審
| 申請號: | 201510042659.8 | 申請日: | 2015-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN104810298A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | M.欣德勒 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/58;H01L23/488;H01L23/10;H01L25/07 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蔣駿;徐紅燕 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子器件 用于 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子器件和用于制造電子器件的方法。
背景技術
電子器件可包括第一半導體芯片和第二半導體芯片。這些半導體芯片都可附著到載體。然而,第一和第二半導體芯片可使用不同的附著技術附著到載體,所述不同的附著技術可導致制造工藝的增加的復雜度和電子器件的增加的成本中的一個或多個。由于這些和其它原因,存在對本發明的需要。
附圖說明
附圖被包括以提供實施例的進一步理解,并合并在本說明書中且構成本說明書的一部分。附圖示出實施例并連同描述一起用來解釋實施例的原理。其它實施例和實施例的很多預期優點將容易被認識到,因為它們通過參考下面的詳細描述而變得更好理解。附圖的元件不一定相對于彼此按比例。相同的參考數字指定對應的相同部分。
包括圖1A-1D的圖1示出電子器件的實施例的生產的各種階段的橫截面視圖。
包括圖2A-2C的圖2示出電子器件的另外的實施例的生產的各種階段的橫截面視圖。
圖3A示出電子器件的另外的實施例的橫截面視圖,而圖3B示出這個實施例的頂視圖。
圖4示出在用于制造電子器件的方法的實施例中使用的輸送裝置的示例的頂視圖。
圖5示出第一和第二半導體芯片的橫截面視圖,其中第一和第二芯片示出由于在制造期間的誤差容限引起的離電子器件中的理想方位的偏差。
圖6示出用于制造電子器件的方法的實施例的流程圖。
具體實施方式
在下面的詳細描述中,參考形成其一部分的附圖,且其中作為例證示出其中本發明可被實踐的特定實施例。然而對本領域中的技術人員可明顯的是,實施例的一個或多個方面可以以較小程度的特定細節被實踐。在其它實例中,已知的結構和元件在示意圖形式中示出,以便便于描述實施例的一個或多個方面。在這個方面中,關于正被描述的一個或多個圖的方位使用方向術語,例如“頂部”、“底部”、“左邊”、“右邊”、“上部”、“下部”等。因為實施例的部件可被定位于多個不同的方位中,方向術語用于說明的目的,且決不是限制性的。應理解,可利用其它實施例,且可做出結構或邏輯改變而不脫離本發明的范圍。下面的詳細描述因此不在限制性的意義上被理解,且本發明的范圍由所附權利要求限定。
此外,雖然可以關于幾個實現中的僅僅一個公開了實施例的特別的特征或方面,但這樣的特征或方面可與其它實現的一個或多個其它特征或方面組合,如可能對任何給定或特別的應用是期望的和有利的,除非另外特別提到或除非在技術上被限制。此外,就術語“包括”、“具有”、“帶有”或其中的其它變形在詳細描述或權利要求中被使用來說,這樣的術語意在為以類似于術語“包含”的方式是開放式的??墒褂眯g語“耦合”和“連接”連同其變形。應理解,這些術語可用于指示兩個元件彼此協作或交互作用,而不考慮它們是直接物理或電接觸,還是它們不彼此直接接觸;中間元件或層可被提供在“接合”、“附著”或“連接”的元件之間。此外,術語“示例性的”僅僅意味著作為示例,而不是最好或最佳的。
下面進一步描述的一個或多個半導體芯片可具有不同的類型,可通過不同的技術制造并可包括例如集成電氣、電光或電機電路和/或無源部件、邏輯集成電路、控制電路、微處理器、存儲器器件等。
電子器件和用于制造電子器件的方法的實施例可使用合并在半導體芯片中的各種類型的半導體芯片或電路,在它們當中有AC/DC或DC/DC轉換器電路、功率MOS晶體管、二極管、功率肖特基二極管、JFET(結柵極場效應晶體管)、功率雙極晶體管、邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號集成電路、傳感器電路、MEMS(微機電系統)、功率集成電路、具有集成無源部件的芯片等。實施例也可使用包括MOS晶體管結構或垂直晶體管結構(像例如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)結構或通常其中至少一個電接觸焊盤被布置在半導體芯片的第一主面上且至少一個其它電接觸焊盤被布置在與半導體芯片的第一主面相對的半導體芯片的第二主面上的晶體管結構)的半導體芯片。而且,絕緣材料的實施例可例如用于提供在各種類型的外殼中的絕緣層和對電路和部件的絕緣和/或用于提供在各種類型的半導體芯片或合并在半導體芯片中的電路(包括上面提到的半導體芯片和電路)中的絕緣層。
一個或多個半導體芯片可由特定的半導體材料(例如Si、SiC、SiGe、GaAs、GaN)或由任何其它半導體材料制造,并此外可包含不是半導體的無機和有機材料(諸如例如絕緣體、塑料或金屬)中的一個或多個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





