[發(fā)明專利]在FINFET裝置的源/漏區(qū)上形成外延材料的方法及所形成裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510041064.0 | 申請日： | 2015-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN104810403A | 公開（公告）日： | 2015-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | J·A·弗朗海澤;B·V·克里希南;M·K·阿卡瓦爾達(dá);S·本特利;A·P·雅各布;劉金平 | 申請（專利權(quán)）人： | 格羅方德半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 英屬開曼群*** | 國省代碼： | 開曼群島;KY |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | finfet 裝置 漏區(qū)上 形成 外延 材料 方法 | ||
1.一種裝置，包括：
鰭片，定義于具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底中，其中，該鰭片的至少一側(cè)壁基本朝向該襯底的該結(jié)晶結(jié)構(gòu)的<100>晶向設(shè)置；
柵極結(jié)構(gòu)，圍繞該鰭片設(shè)置；
最外部側(cè)間隙壁，鄰近該柵極結(jié)構(gòu)的相對側(cè)設(shè)置；以及
外延半導(dǎo)體材料，圍繞位于該裝置的源/漏區(qū)中的該最外部側(cè)間隙壁的橫向外側(cè)的該鰭片的部分形成，其中，該外延半導(dǎo)體材料沿該鰭片的該側(cè)壁具有基本均勻的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，該襯底為(100)襯底，該襯底鰭片具有長軸，其中，該鰭片的該長軸朝向該(100)襯底的<100>晶向設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中，該外延半導(dǎo)體材料圍繞該鰭片的上表面設(shè)置，以及其中，設(shè)于該鰭片的該上表面上方的該外延半導(dǎo)體材料的上表面具有基本平坦的表面。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，該鰭片的上表面朝向該(100)襯底的<001>晶向設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，該襯底為(110)襯底且該襯底鰭片具有長軸，其中，該襯底鰭片的該長軸朝向該(110)襯底的該結(jié)晶結(jié)構(gòu)的<110>晶向設(shè)置。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中，該外延半導(dǎo)體材料圍繞該鰭片的上表面設(shè)置，以及其中，設(shè)于該鰭片的該上表面上方的該外延半導(dǎo)體材料的上表面具有多面表面。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中，該鰭片的上表面朝向該(110)襯底的<110>晶向設(shè)置。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，該外延半導(dǎo)體材料由硅、Si:B、SiGe:B、GeSn、硅/鍺、SiP、SiCP、SiGe:P或SiGe:As的其中一種組成。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，該襯底由硅組成。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，除該外延半導(dǎo)體材料以外，該鰭片由除該襯底的該半導(dǎo)體材料以外的至少一種半導(dǎo)體材料組成。
11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，除該外延半導(dǎo)體材料以外，該鰭片僅由該襯底的該半導(dǎo)體材料組成。
12.一種形成FinFET裝置的方法，包括：
在襯底中形成鰭片，以使該襯底鰭片的至少一側(cè)壁基本朝向該襯底的<100>晶向設(shè)置；
圍繞該鰭片的至少一部分形成柵極結(jié)構(gòu)；
鄰近該柵極結(jié)構(gòu)形成最外部側(cè)間隙壁；以及
在形成該最外部側(cè)間隙壁以后，執(zhí)行外延沉積制程以圍繞該裝置的源/漏區(qū)中的該鰭片形成外延半導(dǎo)體材料，其中，鄰近該鰭片的該側(cè)壁設(shè)置的該外延半導(dǎo)體材料具有基本均勻的厚度。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，該襯底為(100)襯底，以及其中，在該襯底中形成該鰭片包括形成該鰭片以使該鰭片的長軸朝向該(100)襯底的<100>晶向設(shè)置。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成該外延半導(dǎo)體材料包括在該鰭片的上表面上方形成該外延半導(dǎo)體材料，以使設(shè)于該鰭片的該上表面上方的該外延半導(dǎo)體材料的部分具有基本平坦的表面。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成該鰭片包括形成該鰭片以使該鰭片的該上表面朝向該(100)襯底的<001>晶向設(shè)置。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，該襯底為(110)襯底，以及其中，在該襯底中形成該鰭片包括形成該鰭片以使該鰭片的長軸朝向該(110)襯底的<110>晶向設(shè)置。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成該外延半導(dǎo)體材料包括在該鰭片的上表面上方形成該外延半導(dǎo)體材料，以使設(shè)于該鰭片的該上表面上方的該外延半導(dǎo)體材料的部分具有多面表面。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成該鰭片包括形成該鰭片以使該鰭片的該上表面朝向該(110)襯底的<110>晶向設(shè)置。
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H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
