[發明專利]一種降低氮化鎵基電子器件外延應力的離子注入改善型襯底在審
| 申請號： | 201510038542.2 | 申請日： | 2015-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN105895672A | 公開（公告）日： | 2016-08-24 |
| 發明（設計）人： | 羅睿宏;梁智文;張國義 | 申請（專利權）人： | 東莞市中鎵半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/20 | 分類號： | H01L29/20;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 523518 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 氮化 電子器件 外延 應力 離子 注入 改善 襯底 | ||
【說明書】：
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