[發明專利]功率半導體裝置

有效

• 申請號: 201510037405.7
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104810147B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: C·沃爾特
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01G2/02
• 分類號: H01G2/02;H01G2/06;H05K7/02
• 代理公司: 北京易捷勝知識產權代理事務所(普通合伙) 11613
• 代理人: 韓國勝

1.功率半導體裝置，包括功率半導體部件(2)、包括基體(18)并且包括多個電容器(3)，所述多個電容器導電地連接到功率半導體部件(2)，其中該功率半導體裝置(1)具有電容器緊固裝置(7)，該電容器緊固裝置具有套在電容器(3)上的整體框架裝置(4)和整體夾緊裝置(5)，其中該框架裝置(4)具有帶長形切口(8)的框架元件(6)，其中由于切口(8)，框架元件(6)各自形成框架元件指形件(9)，框架元件指形件側向地包圍對應的電容器(3)，其中該夾緊裝置(5)具有夾緊元件(10)，夾緊元件套在框架元件指形件(9)上并且夾緊元件各自側向地包圍對應的框架元件(6)的框架元件指形件(9)，其中夾緊元件(10)和框架元件指形件(9)具有的幾何形狀使得對應的夾緊元件(10)在朝著該對應的電容器(3)的方向上壓靠在對應的框架元件指形件(9)上，并且對應的框架元件指形件(9)側向地壓靠在對應的電容器(3)上，其中該電容器緊固裝置(7)連接到該基體(18)。

2.據權利要求1所述的功率半導體裝置，其特征在于，框架元件指形件(9)的壁的截面和夾緊元件(10)的壁的截面具有彼此相對應的楔形形狀。

3.據權利要求2所述的功率半導體裝置，其特征在于，框架元件指形件(9)在朝著電容器(3)的上側(37)的方向上具有逐漸減小的壁厚度，并且夾緊元件(10)在朝著電容器(3)的上側(37)的方向上具有逐漸增加的壁厚度。

4.據權利要求1所述的功率半導體裝置，其特征在于，框架元件指形件(9)各自在所述框架元件指形件的上部末端處的內側上具有突耳(12)。

5.據權利要求1所述的功率半導體裝置，其特征在于，電容器(3)是以矩陣的形式安排的。

6.據權利要求1所述的功率半導體裝置，其特征在于，該框架裝置(4)具有框架裝置緊固框架元件(40)，該框架裝置(4)通過該框架裝置緊固框架元件而連接到該基體(18)。

7.據權利要求1所述的功率半導體裝置，其特征在于，該夾緊裝置(5)具有夾緊裝置緊固框架元件(41)，該夾緊裝置(5)通過該夾緊裝置緊固框架元件而連接到該基體(18)。

8.據權利要求1所述的功率半導體裝置，其特征在于，功率半導體部件(2)導熱地連接到該基體(18)，其中該基體(18)為基板的形式或者是散熱器的形式。

9.據權利要求1所述的功率半導體裝置，其特征在于，功率半導體部件(2)安排在導電導體軌道(23a，23b，23c)上。

10.據權利要求9所述的功率半導體裝置，其特征在于，非導電絕緣層(56)安排在導電導體軌道(23a，23b，23c)與該基體(18)之間。