[發明專利]功率半導體裝置

有效

• 申請號: 201510037405.7
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104810147B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: C·沃爾特
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01G2/02
• 分類號: H01G2/02;H01G2/06;H05K7/02
• 代理公司: 北京易捷勝知識產權代理事務所(普通合伙) 11613
• 代理人: 韓國勝

本發明涉及功率半導體裝置，該功率半導體裝置包括功率半導體部件、包括基體并且包括多個電容器，其中該功率半導體裝置具有電容器緊固裝置，該電容器緊固裝置具有套在電容器上的整體框架裝置和整體夾緊裝置，其中該框架裝置具有帶長形切口的框架元件，其中由于切口，框架元件各自形成了框架元件指形件，框架元件指形件側向地包圍對應的電容器，其中該夾緊裝置具有夾緊元件，夾緊元件套在框架元件指形件上并且夾緊元件各自側向地包圍對應的框架元件的框架元件指形件。本發明提供功率半導體裝置，其中該功率半導體裝置的電容器是安全且可靠地緊固的，其中電容器的緊固是通過較小復雜性而經濟地實現的。

技術領域

本發明涉及功率半導體裝置。

背景技術

在現有技術已知的功率半導體裝置的情況下，功率半導體部件例如功率半導體開關和/或二極管通常是安排在基底上并且是通過該基底的導體層和接合線和/或薄膜復合物而導電地彼此相連接的。在此情況下功率半導體開關通常是晶體管的形式，例如像IGBT(絕緣柵雙極型晶體管(Insulated-Gate Bipolar Transistors))或MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors))，或者閘流晶體管的形式。

在這種情況下功率半導體部件經常是電互連的以形成單個或多個所謂的半橋電路，半橋電路例如用于對電壓和電流進行整流和逆變。在這種情況下功率半導體裝置通常具有并聯和/或串聯地電連接的作為能量儲存器的電容器，所述電容器通常對該功率半導體裝置處出現的直流電壓進行緩沖存儲。在現有技術中這類電容器也稱為直流鏈路電容器(DC-link capacitor)。

電容器經由所述電容器的電連接元件而電子地和機械地連接到該功率半導體裝置的單個或多個部件。由于功率半導體裝置經常受到機械沖擊負荷和/或振動負荷，電容器的電連接元件可能出現機械故障，這樣導致功率半導體裝置的損壞和故障。

發明內容

本發明的目的在于提供一種功率半導體裝置，其中該功率半導體裝置的電容器是以安全且可靠的方式緊固的，其中電容器的緊固是可以通過很小的復雜性來經濟地實現的。

這個目標是通過一種功率半導體裝置實現的，該功率半導體裝置包括功率半導體部件、包括基體并且包括多個電容器，電容器導電地連接到功率半導體部件，其中該功率半導體裝置具有電容器緊固裝置，該電容器緊固裝置具有套在電容器上的整體框架裝置和整體夾緊裝置，其中該框架裝置具有帶長形切口的框架元件，其中由于切口，框架元件各自形成了框架元件指形件，框架元件指形件側向地包圍對應的電容器，其中，該夾緊裝置具有夾緊元件，夾緊元件套在框架元件指形件上并且夾緊元件各自側向地包圍對應的框架元件的框架元件指形件，其中夾緊元件和框架元件指形件具有的幾何形狀使得該對應的夾緊元件在朝著該對應的電容器的方向上壓靠在對應的框架元件指形件上，并且對應的框架元件指形件側向地壓靠在該對應的電容器上，其中該電容器緊固裝置連接到該基體上的。

已經證實有利的是，框架元件指形件的壁的截面和夾緊元件的壁的截面具有彼此相對應的楔形形狀，因為在這種情況下通過楔效應以簡單的方式產生了壓力，并且這個壓力將對應的框架元件指形件側向地壓靠在該對應的電容器上。

此外，已經證實有利的是框架元件指形件在朝著電容器的上側的方向上具有逐漸減小的壁厚度，并且夾緊元件在朝著電容器的上側的方向上具有逐漸增大的壁厚度。結果是，可以通過特別簡單的方式實現相互對應的楔形形狀。

此外，已經證實有利的是框架元件指形件各自在所述對應的框架元件指形件的上部末端處的內側上具有突耳。如果電容器意外地變得松脫的話，至少該框架元件中的突耳對所討論的這個電容器進行固持。結果是，能夠避免由于松動的電容器而產生的對該功率半導體裝置的進一步損壞。