[發明專利]芯片生產線的廢水處理方法

有效

• 申請號: 201510036132.4
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104671590B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 韋相亮;馬崇維;趙其
• 申請（專利權）人: 先達恩那社水處理工程（天津）有限公司
• 主分類號: C02F9/14
• 分類號: C02F9/14
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司11315
• 代理人: 許志勇

技術領域

本發明涉及廢水處理的技術領域，尤其涉及一種芯片生產線的廢水處理方法。

背景技術

在半導體制造技術中，通過一系列的光刻、刻蝕、沉積、離子注入、研磨、清洗等工藝形成具有各種功能的半導體芯片，然后將所述半導體芯片進行封裝和電性測試，并最終形成終端產品。目前，在半導體芯片的制造過程中，會產生大量的工業廢水。

在現有的廢水處理過程中，通常單獨使用序列間歇式活性污泥法(SBR)或生物接觸氧化法或曝氣生物濾池(BAF)，均只能對廢水進行單一的處理，例如為過濾或微生物反應或去除毒性等，由于處理方式過于單一，這常常導致過濾物質很快堵塞的問題。因此，廢水處理仍有改善的空間。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種芯片生產線的廢水處理方法，以解決現有技術存在的處理方式過于單一，這常常導致過濾物質很快堵塞的問題。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種芯片生產線的廢水處理方法，包括如下步驟：接收來自于芯片生產線的廢水，所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物；對所述廢水進行調節曝氣混合處理，以調勻廢水的PH值；對所述廢水進行好氧處理，以在廢水中培養微生物及活性污泥和曝氣處理，以增加廢水中的溶氧量；在廢水中加入懸浮物污泥物質，以吸附廢水中的納米級顆粒物，形成微米級以上的懸浮顆粒物；對所述廢水進行膜生物反應器處理，以去除廢水中的懸浮顆粒物。

其中，所述溶氧量為1-2PPM。

其中，所述懸浮物污泥物質的濃度為500-1200PPM。

其中，所述廢水中加入懸浮物污泥物質的步驟之后進一步包括：檢測所述懸浮物污泥物質的濃度；若所述懸浮物污泥物質的濃度超過預設濃度，對所述懸浮物污泥物質進行排放。

其中，所述膜生物反應器包括中空纖維膜。

其中，所述廢水中加入懸浮物污泥物質的步驟之前進一步包括：在廢水中加入PH值調節物質，以使得所述廢水的PH值呈弱酸性、中性或弱堿性；對廢水進行過濾，以濾除廢水中的顆粒物體。

其中，所述廢水的PH值的范圍為6.5-8.5

其中，所述對廢水進行過濾采用過濾器，其中所述過濾器的目數為60-100目。

其中，所述對所述廢水進行膜生物反應器處理的步驟之后進一步包括：在通過膜生物反應器處理的廢水中加入細菌抑制劑，以抑制廢水中的細菌滋生。

其中，所述細菌抑制劑包括次氯酸鈉。

其中，所述次氯酸鈉的余氯濃度為0.5-0.8PPM。

其中，所述廢水處理方法進一步包括：對所述膜生物反應器表面進行空氣沖刷。

根據本發明的技術方案，通過對所述廢水進行調節曝氣混合處理、好氧處理和曝氣處理以及膜生物反應器處理，并于膜生物反應器處理前，加入懸浮物污泥物質。如此一來，可達到水資源的回收再利用的效果，并可避免膜生物反應器堵塞的情況發生。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1是根據本發明第一實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖；

圖2是根據本發明第二實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖；

圖3是根據本發明第三實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖；

圖4是根據本發明第四實施例的芯片生產線的廢水處理系統的示意圖；

圖5是根據本發明第五實施例的芯片生產線的廢水處理系統的示意圖；

圖6是根據本發明第六實施例的芯片生產線的廢水處理系統的示意圖。

具體實施方式

本發明的主要思想在于，基于通過對所述廢水進行調節曝氣混合處理、好氧處理和曝氣處理以及膜生物反應器處理，并于膜生物反應器處理前，加入懸浮物污泥物質。如此一來，可達到水資源的回收再利用的效果，并可避免膜生物反應器堵塞的情況發生。

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，以下結合附圖及具體實施例，對本發明作進一步地詳細說明。

根據本發明的實施例，提供了一種芯片生產線的廢水處理方法。

圖1是根據本發明第一實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖。

在步驟S102中，接收來自于芯片生產線的廢水，所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物。所述納米級懸浮顆粒物例如為二氧化硅、硅粉、金屬物質等。