[發明專利]芯片生產線的廢水處理方法

有效

• 申請號: 201510036132.4
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104671590B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 韋相亮;馬崇維;趙其
• 申請（專利權）人: 先達恩那社水處理工程（天津）有限公司
• 主分類號: C02F9/14
• 分類號: C02F9/14
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司11315
• 代理人: 許志勇

1.一種芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，接收來自于芯片生產線的廢水，所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物；

步驟2，對所述廢水進行調節曝氣混合處理，以調勻廢水的PH值；

步驟3，對所述廢水進行好氧處理同時進行曝氣處理，以增加廢水中的溶氧量，使好氧池中的好氧性微生物與廢水相接觸，以在廢水中培養微生物及活性污泥；

步驟4，在廢水中加入懸浮物污泥物質，以讓懸浮物污泥物質吸附廢水中的納米級顆粒物，形成微米級以上的懸浮顆粒物；

步驟5，對所述廢水進行膜生物反應器處理，以去除廢水中的懸浮顆粒物。

2.根據權利要求1所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述溶氧量為1-2PPM。

3.根據權利要求1所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于所述懸浮物污泥物質的濃度為500-1200PPM。

4.根據權利要求1所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述廢水中加入懸浮物污泥物質的步驟之后進一步包括：

檢測所述懸浮物污泥物質的濃度；

若所述懸浮物污泥物質的濃度超過預設濃度，對所述懸浮物污泥物質進行排放。

5.根據權利要求1所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述膜生物反應器包括中空纖維膜。

6.根據權利要求1所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述廢水中加入懸浮物污泥物質的步驟之前進一步包括：

在廢水中加入PH值調節物質，以使得所述廢水的PH值呈弱酸性、中性或弱堿性；

對廢水進行過濾，以濾除廢水中的顆粒物體。

7.根據權利要求6所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述廢水的PH值的范圍為6.5-8.5。

8.根據權利要求6所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述對廢水進行過濾采用過濾器，其中所述過濾器的目數為60-100目。

9.根據權利要求1所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述對所述廢水進行膜生物反應器處理的步驟之后進一步包括：

在通過膜生物反應器處理的廢水中加入細菌抑制劑，以抑制廢水中的細菌滋生。

10.根據權利要求9所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述細菌抑制劑包括次氯酸鈉。

11.根據權利要求10所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述次氯酸鈉的余氯濃度為0.5-0.8PPM。

12.根據權利要求1所述的芯片生產線的廢水處理方法，其特征在于，所述廢水處理方法進一步包括：

對所述膜生物反應器表面進行空氣沖刷。