[發明專利]一種具有啟動控制功能的延時鎖相環電路

有效

• 申請號: 201510036065.6
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104601166B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 王源;劉躍全;賈嵩;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H03L7/081
• 分類號: H03L7/081
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 李相雨

1.一種具有啟動控制功能的延時鎖相環電路，包括相位檢測子電路、壓控延時鏈以及一階濾波電容，其特征在于，還包括啟動控制子電路；

所述啟動控制子電路初始化控制電壓，所述控制電壓處于所述壓控延時鏈的延時控制電壓的調節范圍內；所述相位檢測子電路單元根據基準時鐘以及所述壓控延時鏈的反饋時鐘的相位關系，調節所述控制電壓的值；調節后的所述控制電壓經過所述一階濾波電容濾波后，作為所述壓控延時鏈的延時控制電壓，對所述壓控延時鏈進行控制；

其中，所述啟動控制子電路包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管以及反相器；所述第一PMOS晶體管的柵極接地，所述第一PMOS晶體管的源極接電源電壓，所述第二PMOS晶體管的柵極接所述第一PMOS晶體管的漏極；所述第一NMOS晶體管的柵極接所述第一PMOS晶體管的漏極，所述第一NMOS晶體管的源極和漏極均接地；所述第二NMOS晶體管的柵極和漏極均連接所述第一PMOS晶體管的漏極，所述第二NMOS晶體管的源極接地；所述第三NMOS晶體管的漏極接所述第一PMOS晶體管的漏極，所述反相器的輸入端接所述第一PMOS晶體管的漏極，所述反相器的輸出端接所述第三NMOS晶體管的柵極，所述第三NMOS晶體管的源極接所述第二PMOS晶體管的源極，所述第二PMOS晶體管的漏極接地；所述一階濾波電容的一端接所述第三NMOS晶體管的源極，另一端接地；所述第三NMOS晶體管的源極輸出所述控制電壓。

2.根據權利要求1所述的具有啟動控制功能的延時鎖相環電路，其特征在于，所述控制電壓經過所述啟動控制子電路初始化的電壓值為所述壓控延時鏈的延時控制電壓調節范圍的中點值。

3.根據權利要求2所述的具有啟動控制功能的延時鎖相環電路，其特征在于，所述反相器的閾值翻轉電壓為所述壓控延時鏈的延時控制電壓調節范圍的中點值。

4.根據權利要求3所述的具有啟動控制功能的延時鎖相環電路，其特征在于，所述相位檢測子電路包括鑒相器單元和電荷泵單元，用于檢測所述基準時鐘與所述壓控延時鏈的反饋時鐘的相位關系，若所述基準時鐘的相位超前于所述反饋時鐘的相位，則增大所述控制電壓；若所述基準時鐘的相位落后于所述反饋時鐘的相位，則減小所述控制電壓。

5.根據權利要求4所述的具有啟動控制功能的延時鎖相環電路，其特征在于，所述壓控延時鏈由N個相同的延時單元依次串聯構成，其輸入為所述基準時鐘，其最后一級所述延時單元的輸出信號為所述反饋時鐘。

6.根據權利要求5所述的具有啟動控制功能的延時鎖相環電路，其特征在于，每一所述延時單元的電壓控制端均連接所述第三NMOS晶體管的源極。