[發明專利]一種N型單晶片的P型摻雜方法

有效

• 申請號: 201510035930.5
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104538504B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 蔡永梅;蔣方丹;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/225;H01L21/268
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

技術領域

本發明涉及太陽能電池制造技術領域，特別是涉及一種N型單晶片的P型摻雜方法。

背景技術

目前的太陽能電池的一種常見的制造方法是在P型硅片上以絲網印刷方式制作正負電極。然而這種電池中，由于P型硅片的硼含量較高，形成的硼氧對會導致光照下少數載流子壽命的衰退。而采用N型硅片作為基體的太陽能電池的硼含量較低，因此其少數載流子的壽命能夠得以改善，其光電轉換效率達到了20％以上，在低成本高效太陽能電池方面具有良好的發展潛力。

利用現有技術制作N型太陽能電池時，需要對N型單晶片進行硼摻雜以形成PN結。目前的N型單晶片實現硼摻雜的主要方式為：使用BBr₃氣體作為硼源，在近1000℃的高溫下使硼原子擴散進硅基體，對于還需要形成N+發射極的N型電池，還要使用POCl₃氣體作為磷源對單晶片在高溫860℃左右下進行磷擴散。

通過上述描述可知，利用現有技術制作N型太陽能電池時，由于單晶片需要經過至少一次高溫擴散工藝，因此會降低單晶片的少數載流子壽命，進而造成太陽能電池的光電轉換效率的降低。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供了一種N型單晶片的P型摻雜方法，能夠提高單晶片的少子壽命，從而提高太陽能電池的光電轉換效率。

本發明提供的一種N型單晶片的P型摻雜方法包括：

在N型單晶片的表面設置含有P型元素的摻雜漿料；

烘干所述摻雜漿料；

激光掃描所述摻雜漿料，將所述P型元素摻入所述N型單晶片中。

優選的，在上述方法中，所述P型元素為硼。

優選的，在上述方法中，所述N型單晶片的材質為硅。

優選的，在上述方法中，采用絲網印刷的方法設置所述摻雜漿料。

優選的，在上述方法中，所述摻雜漿料的厚度為7微米至10微米，包括端點值。

優選的，在上述方法中，所述烘干的溫度為300℃至350℃，包括端點值。

優選的，在上述方法中，所述烘干的時間為6分鐘至10分鐘，包括端點值。

優選的，在上述方法中，利用532ns綠光固體激光器對所述摻雜漿料進行激光掃描。

優選的，在上述方法中，所述激光頻率為80KHz至150KHz，包括端點值。

優選的，在上述方法中，所述激光掃描的速度為100mm/s至1000mm/s。

通過上述描述可知，本發明提供的一種N型單晶片的P型摻雜方法中，利用激光掃描摻雜漿料，將所述P型元素摻入所述N型單晶片中，避免了能夠降低少數載流子壽命的高溫擴散過程，因此能夠提高單晶片的少子壽命，從而能夠提高太陽能電池的光電轉換效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的一種N型單晶片的P型摻雜方法的示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本申請實施例提供的一種N型單晶片的P型摻雜方法如圖1所示，圖1為本申請實施例提供的一種N型單晶片的P型摻雜方法的示意圖。該方法包括如下步驟：

S1：在N型單晶片的表面設置含有P型元素的摻雜漿料；

在該步驟中，可以將所述含有P型元素的摻雜漿料設置成太陽能電池的電極圖案，從而能夠方便制作電極的PN結。

S2：烘干所述摻雜漿料；

在該步驟中，通過烘干工藝的調節，使得烘干效果更好，提高摻雜漿料的穩定性。

S3：激光掃描所述摻雜漿料，將所述P型元素摻入所述N型單晶片中。

在該步驟中，利用激光掃描工藝取代了高溫擴散工藝，從而避免了少數載流子壽命的降低，從而提高太陽能電池的光電轉換效率。