[發(fā)明專利]一種N型單晶片的P型摻雜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510035930.5
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104538504B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 蔡永梅;蔣方丹;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/225;H01L21/268
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

1.一種N型單晶片的P型摻雜方法，其特征在于，包括：

采用絲網(wǎng)印刷的方法在N型單晶片的表面設置含有P型元素的摻雜漿料，形成太陽能電池電極的圖案，所述摻雜漿料的厚度為7微米至10微米，包括端點值；

烘干所述摻雜漿料，所述烘干的溫度為300℃至350℃，包括端點值，所述烘干的時間為6分鐘至10分鐘，包括端點值；

激光掃描所述摻雜漿料，將所述P型元素摻入所述N型單晶片中；

所述P型元素為硼，所述N型單晶片的材質為硅。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，利用532ns綠光固體激光器對所述摻雜漿料進行激光掃描。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光頻率為80KHz至150KHz，包括端點值。

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光掃描的速度為100mm/s至1000mm/s。