[發(fā)明專利]無(wú)源元件結(jié)構(gòu)及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510035047.6 | 申請(qǐng)日: | 2015-01-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104810362A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賴俊諺;胡毓文;樓百堯;林佳升;何彥仕;關(guān)欣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/01 | 分類號(hào): | H01L27/01;H01L23/488;H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣桃園市中*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 無(wú)源 元件 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)(Passive?Component?Structure)及一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的電感結(jié)構(gòu)可包含硅基板與多個(gè)銅塊。硅基板具有多個(gè)焊墊(bond?pad)。銅塊以電鍍的方式分別形成于焊墊上,具有高頻傳輸?shù)墓δ堋T诤罄m(xù)制程中,錫球(BGA)或?qū)щ娡箟K可通過銅塊與硅基板的焊墊電性連接。由于錫鉛材料無(wú)法直接粘著于銅塊,所以當(dāng)銅塊電鍍完成后,需再依序電鍍鎳層與金層。其中鎳層具有阻值高的特性,可防止金層與銅塊在高溫環(huán)境中互相熔合,而金層可防止銅塊氧化。
通過鎳層與金層的雖可讓錫球或?qū)щ娡箟K粘著于銅塊,但實(shí)際上在電感結(jié)構(gòu)中,僅有少數(shù)的銅塊在后續(xù)制程(例如植錫球制程或打線制程)需與導(dǎo)電凸塊或錫球電性連接,大多數(shù)的銅塊并不需電性連接錫球或?qū)щ娡箟K。然而,一般而言,電感結(jié)構(gòu)在制作時(shí),因?yàn)橹瞥棠芰Σ蛔悖荒茉诿恳汇~塊上均電鍍鎳層與金層。
如此一來(lái),不僅會(huì)造成材料(例如金)的浪費(fèi),且所有的銅塊上均電鍍鎳層與金層,會(huì)造成電感結(jié)構(gòu)的線路總電阻值升高,造成效率下降,使電感結(jié)構(gòu)的電感品質(zhì)系數(shù)難以提升。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式,一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)包含基板、保護(hù)層、圖案化的導(dǎo)電層、多個(gè)銅塊、擴(kuò)散阻障層與抗氧化層。基板具有多個(gè)焊墊。保護(hù)層位于基板與焊墊上。保護(hù)層具有多個(gè)保護(hù)層開口。保護(hù)層開口分別與焊墊位置對(duì)應(yīng)。導(dǎo)電層位于焊墊與保護(hù)層緊鄰保護(hù)層開口的表面上。銅塊位于導(dǎo)電層上。擴(kuò)散阻障層位于銅塊的至少一個(gè)上。抗氧化層覆蓋于擴(kuò)散阻障層。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述無(wú)源元件結(jié)構(gòu)還包含阻隔層。阻隔層位于保護(hù)層與銅塊上。阻隔層具有阻隔層開口。阻隔層開口與抗氧化層位置對(duì)應(yīng)。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述無(wú)源元件結(jié)構(gòu)還包含強(qiáng)化層。強(qiáng)化層位于擴(kuò)散阻障層與抗氧化層之間。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述強(qiáng)化層的材質(zhì)包含鈀。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述擴(kuò)散阻障層的材質(zhì)包含鎳。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述抗氧化層的材質(zhì)包含金。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述抗氧化層的厚度介于0.01μm至0.1μm。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述無(wú)源元件結(jié)構(gòu)還包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接于抗氧化層。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含錫球或?qū)Ь€。
本發(fā)明的另一技術(shù)態(tài)樣為一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)的制作方法。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式,一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)的制作方法包含下列步驟:a)提供具有多個(gè)焊墊的基板;b)于基板上形成保護(hù)層,且焊墊分別由保護(hù)層的多個(gè)保護(hù)層開口露出;c)于焊墊與保護(hù)層上形成導(dǎo)電層;d)于導(dǎo)電層上形成圖案化的光阻層,且緊鄰保護(hù)層開口的導(dǎo)電層由光阻層的多個(gè)光阻層開口露出;e)于光阻層開口中的導(dǎo)電層上分別電鍍多個(gè)銅塊;f)去除光阻層與未被銅塊覆蓋的導(dǎo)電層;g)于銅塊與保護(hù)層上形成阻隔層,其中銅塊的至少一個(gè)由阻隔層的阻隔層開口露出;h)于露出阻隔層開口的銅塊上依序化學(xué)鍍擴(kuò)散阻障層與抗氧化層。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述步驟h)還包含:于擴(kuò)散阻障層上化學(xué)鍍強(qiáng)化層。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述步驟f)包含:蝕刻未被銅塊覆蓋的導(dǎo)電層。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述阻隔層的材質(zhì)為防焊綠漆。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述阻隔層的材質(zhì)為光阻,無(wú)源元件結(jié)構(gòu)的制作方法還包含:去除阻隔層。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述步驟b)包含:圖案化保護(hù)層,使保護(hù)層具有保護(hù)層開口。
本發(fā)明的另一技術(shù)態(tài)樣為一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式,一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)包含基板、保護(hù)層、圖案化的導(dǎo)電層、多個(gè)銅塊、抗氧化層。基板具有多個(gè)焊墊。保護(hù)層位于基板與焊墊上。保護(hù)層具有多個(gè)保護(hù)層開口。保護(hù)層開口分別與焊墊位置對(duì)應(yīng)。導(dǎo)電層位于焊墊與保護(hù)層緊鄰保護(hù)層開口的表面上。銅塊位于導(dǎo)電層上。抗氧化層位于銅塊的至少一個(gè)上。
本發(fā)明的另一技術(shù)態(tài)樣為一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)的制作方法。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式,一種無(wú)源元件結(jié)構(gòu)的制作方法包含下列步驟:提供具有多個(gè)焊墊的基板;于基板上形成保護(hù)層,且焊墊分別由保護(hù)層的多個(gè)保護(hù)層開口露出;于焊墊與保護(hù)層上形成導(dǎo)電層;于導(dǎo)電層上形成圖案化的光阻層,且緊鄰保護(hù)層開口的導(dǎo)電層由光阻層的多個(gè)光阻層開口露出;于光阻層開口中的導(dǎo)電層上分別電鍍多個(gè)銅塊;去除光阻層與未被銅塊覆蓋的導(dǎo)電層;于銅塊的至少一個(gè)化學(xué)鍍抗氧化層。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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