[發明專利]無源元件結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201510035047.6 | 申請日: | 2015-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN104810362A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 賴俊諺;胡毓文;樓百堯;林佳升;何彥仕;關欣 | 申請(專利權)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01;H01L23/488;H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市中*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無源 元件 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種無源元件結構,其特征在于,包含:
一基板,具有多個焊墊;
一保護層,位于該基板與所述焊墊上,該保護層具有多個保護層開口,所述保護層開口分別與所述焊墊位置對應;
一圖案化的導電層,位于所述焊墊與該保護層緊鄰所述保護層開口的表面上;
多個銅塊,位于該導電層上;
一擴散阻障層,位于所述銅塊的至少一個上;以及
一抗氧化層,覆蓋于該擴散阻障層。
2.根據權利要求1所述的無源元件結構,其特征在于,還包含:
一阻隔層,位于該保護層與所述銅塊上,且該阻隔層具有一阻隔層開口,該阻隔層開口與該抗氧化層位置對應。
3.根據權利要求1所述的無源元件結構,其特征在于,還包含:
一強化層,位于該擴散阻障層與該抗氧化層之間。
4.根據權利要求3所述的無源元件結構,其特征在于,該強化層的材質包含鈀。
5.根據權利要求1所述的無源元件結構,其特征在于,該擴散阻障層的材質包含鎳。
6.根據權利要求1所述的無源元件結構,其特征在于,該抗氧化層的材質包含金。
7.根據權利要求1所述的無源元件結構,其特征在于,該抗氧化層的厚度介于0.01μm至0.1μm。
8.根據權利要求1所述的無源元件結構,其特征在于,還包含:
一導電結構,電性連接于該抗氧化層。
9.根據權利要求8所述的無源元件結構,其特征在于,該導電結構包含錫球或導線。
10.一種無源元件結構的制作方法,其特征在于,包含下列步驟:
a)提供具有多個焊墊的一基板;
b)于該基板上形成一保護層,且所述焊墊分別由所述保護層的多個保護層開口露出;
c)于所述焊墊與該保護層上形成一導電層;
d)于該導電層上形成一圖案化的光阻層,且緊鄰所述保護層開口的該導電層由該光阻層的多個光阻層開口露出;
e)于所述光阻層開口中的該導電層上分別電鍍多個銅塊;
f)去除該光阻層與未被所述銅塊覆蓋的該導電層;
g)于所述銅塊與該保護層上形成一阻隔層,其中所述銅塊的至少一個由該阻隔層的一阻隔層開口露出;以及
h)于露出該阻隔層開口的該銅塊上依序化學鍍一擴散阻障層與一抗氧化層。
11.根據權利要求10所述的無源元件結構的制作方法,其特征在于,該步驟h)還包含:
于該擴散阻障層上化學鍍一強化層。
12.根據權利要求10所述的無源元件結構的制作方法,其特征在于,該步驟f)包含:
蝕刻未被所述銅塊覆蓋的該導電層。
13.根據權利要求10所述的無源元件結構的制作方法,其特征在于,該阻隔層的材質為防焊綠漆。
14.根據權利要求10所述的無源元件結構的制作方法,其特征在于,該阻隔層的材質為光阻,該無源元件結構的制作方法還包含:
去除該阻隔層。
15.根據權利要求10所述的無源元件結構的制作方法,其特征在于,該步驟b)包含:
圖案化該保護層,使該保護層具有所述保護層開口。
16.一種無源元件結構,其特征在于,包含:
一基板,具有多個焊墊;
一保護層,位于該基板與所述焊墊上,該保護層具有多個保護層開口,所述保護層開口分別與所述焊墊位置對應;
一圖案化的導電層,位于所述焊墊與該保護層緊鄰所述保護層開口的表面上;
多個銅塊,位于該導電層上;以及
一抗氧化層,位于所述銅塊的至少一個上。
17.根據權利要求16所述的無源元件結構,其特征在于,該抗氧化層的材質包含金。
18.根據權利要求16所述的無源元件結構,其特征在于,還包含:
一導電結構,電性連接于該抗氧化層。
19.根據權利要求18所述的無源元件結構,其特征在于,該導電結構包含錫球。
20.一種無源元件結構的制作方法,其特征在于,包含下列步驟:
提供具有多個焊墊的一基板;
于該基板上形成一保護層,且所述焊墊分別由所述保護層的多個保護層開口露出;
于所述焊墊與該保護層上形成一導電層;
于該導電層上形成一圖案化的光阻層,且緊鄰所述保護層開口的該導電層由該光阻層的多個光阻層開口露出;
于所述光阻層開口中的該導電層上分別電鍍多個銅塊;
去除該光阻層與未被所述銅塊覆蓋的該導電層;以及
于所述銅塊的至少一個上化學鍍一抗氧化層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





