[發明專利]新晶體結構酞菁鋅（ι-ZnPc）納米線及其制備方法

在審

• 申請號: 201510034269.6
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104557952A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 羅金龍;王海;吳瓊;紀小林;鄒濤隅;喬振芳;楊鎰吉;王曉燕
• 申請（專利權）人: 昆明學院
• 主分類號: C07D487/22
• 分類號: C07D487/22;B82Y40/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賈靜環

1.一種酞菁鋅納米線，其特征在于所述酞菁鋅納米線具有ι-酞菁鋅結構。

2.根據權利要求1所述的酞菁鋅納米線，其特征在于所述的酞菁鋅為藍色，納米線平均線寬在70nm以下。

3.根據權利要求1所述的酞菁鋅納米線，其特征在于所述酞菁鋅納米線的X-射線衍射譜在下列的2θ(2θ±0.1°)處具有一個或多個特征峰：約6.8°、約8.3°、約9.8°、約15.5°和約25.9°，所述X-射線衍射譜的測試條件為：CuK_α1，0.02°/step/1s。

4.根據權利要求1或3所述的酞菁鋅納米線，其特征在于所述酞菁鋅納米線的X-射線衍射譜在下列的2θ(2θ±0.1°)處具有特征峰：約6.8°和約15.5°，所述X-射線衍射譜的測試條件為：CuK_α1，0.02°/step/1s。

5.根據權利要求1或3所述的酞菁鋅納米線，其特征在于所述酞菁鋅納米線的X-射線衍射譜在下列的2θ處具有特征峰：6.84°、8.342°、9.78°、15.539°和25.855°，對應于上述2θ，半峰寬分別為0.525、0.423、0.469、0.446和0.307；峰高分別為1390、91、95、234和114；衍射強度分別為100％、6.5％、6.8％、16.8％和8.2％；所述X-射線衍射譜的測試條件為：CuK_α1，0.02°/step/1s。

6.根據權利要求1或3所述的酞菁鋅納米線，其特征在于所述酞菁鋅納米線具有下列的傅氏轉換紅外線光譜(FTIR)特征峰：570.83cm^-1、636.40cm^-1、721.25cm^-1、752.11cm^-1、771.39cm^-1、887.10cm^-1、1060.66cm^-1、1087.66cm^-1、1118.52cm^-1、1164.80cm^-1、1284.37cm^-1、1330.65cm^-1、1407.79cm^-1、1484.93cm^-1。

7.一種制備ι-酞菁鋅納米線的方法，包括下列步驟：

a)放入酞菁鋅原料至爐中的加熱區域；

b)通入載氣并始終保持恒定的流量，加熱酞菁鋅原料至450-490℃，使酞菁鋅升華；

c)通過該載氣，引導該升華的酞菁鋅離開該加熱區域至生長區域，所述生長區域的溫度低于所述加熱區域的溫度；

d)在生長區域，得到ι-酞菁鋅納米線。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于所述生長區域的溫度不高于200℃、或者不高于100℃、或者不高于50℃、或者為室溫。

9.根據權利要求7或8所述的方法，其特征在于步驟b)中，以階梯升溫的方式加熱。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于所述階梯升溫的升溫間隔為1℃-30℃，優選為1、2、5、8、10、15、20、25或30℃。

11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于階梯升溫的過程中升溫速率為1-5℃/min，優選為2、3或4℃/min。

12.根據權利要求7所述的方法，其特征在于用隔溫材料將加熱區域和生長區域隔開，并在隔溫材料前設置通氣孔或小石英管。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于所述載氣在通過酞菁鋅原料時的流速為0.2L/min-0.6L/min，優選0.4L/min-0.6L/min。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于載氣在通過通氣孔或小石英管時的流速是其在通過酞菁鋅原料時流速的2-6倍。

15.根據權利要求7或8所述的方法，其特征在于在加熱區域和生長區域之間進一步設置一個或多個中溫區域，所述一個或多個中溫區域的溫度低于加熱區域的溫度且高于生長區域的溫度。