[發(fā)明專利]一種修飾電極的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510032991.6
• 申請日: 2015-01-22
• 公開（公告）號: CN104597091B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設計）人: 肖琦;黃珊;盧雙燕
• 申請（專利權）人: 廣西師范學院
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)11369
• 代理人: 靳浩

1.一種修飾電極的制備方法，包括：

步驟一、將質(zhì)量體積濃度為1～7mg/mL的氨基化石墨烯和質(zhì)量體積濃度為1～5mg/mL的β環(huán)糊精于超聲功率150W下超聲混合約30min得到復合材料；以及，

步驟二、取步驟一中的復合材料均勻滴加到電極表面，隨后烘干，所述電極的直徑為3mm，滴加的所述復合材料的體積為5μL，其中每平方米的電極的表面積上滴加的復合材料的體積為0.177L。

2.如權利要求1所述的修飾電極的制備方法，其中所述步驟一中，所述氨基化石墨烯的質(zhì)量體積濃度為1～7mg/mL，β環(huán)糊精的質(zhì)量體積濃度為3mg/mL。

3.如權利要求1所述的修飾電極的制備方法，其中所述步驟一中，所述氨基化石墨烯的質(zhì)量體積濃度為5mg/mL，β環(huán)糊精的質(zhì)量體積濃度為1～5mg/mL。

4.如權利要求1所述的修飾電極的制備方法，其中所述步驟一中，所述氨基化石墨烯的質(zhì)量體積濃度為5mg/mL，β環(huán)糊精的質(zhì)量體積濃度為3mg/mL。

5.如權利要求1至4任一項所述的修飾電極的制備方法，其中所述電極為玻碳電極。

6.如權利要求5所述的修飾電極的制備方法，其中在所述步驟二前，還包括：電極預處理的步驟，所述電極預處理的步驟的具體過程包括：在拋光布上依次使用粒徑為1.0微米、0.3微米和0.5微米的拋光粉打磨所述電極，之后用超純水沖洗，再依次在丙酮、0.5mol/L的硫酸和超純水中超聲約3min，每次超聲后都用超純水清洗；然后再取步驟一中的所述復合材料均勻滴加到所述電極表面。

7.如權利要求5所述的修飾電極的制備方法，其中所述玻碳電極包括電極外套、位于所述電極外套內(nèi)并沿其軸向設置的電極芯和導線柱，所述復合材料滴加在所述電極芯的工作端，所述導線柱的一端與所述電極芯的另一端連接，而所述導線柱的另一端延伸至所述電極外套外，所述電極芯的工作端設置有彼此不交互的深度為0.5～1mm和寬度為0.3～0.5mm的至少三條溝槽，所述溝槽的表面也滴加有所述復合材料。

8.如權利要求7所述的修飾電極的制備方法，其中所述至少三條溝槽包括三條溝槽，所述溝槽的長度為所述玻碳電極直徑的1/3。

9.如權利要求7所述的修飾電極的制備方法，其中在所述溝槽內(nèi)填充石墨纖維，在該石墨纖維的表面滴加所述復合材料。