[發明專利]元件的制造方法

有效

• 申請號: 201510029812.3
• 申請日: 2007-12-14
• 公開（公告）號: CN104617043B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 普翰屏;樓百堯;王宗鼎;蕭景文;卿愷明;郭正錚;邱文智;魯定中;侯上勇
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/50
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;李玉鎖

1.一種元件的制造方法，包括：

提供一第一基底，包括多個第一芯片，所述多個第一芯片間是以一第一切割線區域分隔，其中該第一基底上至少形成一第一結構層；

以黃光光刻和蝕刻工藝移除該第一切割線區域中的部分該第一結構層，形成多個第一開口及暴露該第一基底，其中所述多個第一開口分別具有一平坦底面，該平坦底面與該第一基底的一頂面具有相同的水平；

提供一第二基底，包括多個第二芯片，所述多個第二芯片間是以一第二切割線區域分隔，其中該第二基底上至少形成一第二結構層；

以黃光光刻和蝕刻工藝移除該第二切割線區域中的部分該第二結構層，形成多個第二開口及暴露該第二基底，其中所述多個第二開口分別具有一平坦底面，該平坦底面與該第二基底的一頂面具有相同的水平；

接合該第一結構層和該第二結構層，形成一堆疊結構，其中該第一切割線區域對齊該第二切割線區域，所述多個第一開口對齊所述多個第二開口，且所述多個第一開口和所述多個第二開口共同形成該堆疊結構的多個凹穴；以及

沿著該第一切割線區域和該第二切割線區域，以穿過所述多個凹穴的方式，以激光束照射的方式切割該堆疊結構，

其中所述多個凹穴僅鄰近所述多個第一芯片和所述多個第二芯片的邊角。

2.如權利要求1所述的元件的制造方法，其中以該黃光光刻和蝕刻工藝移除該第一切割線區域中的部分該第一結構層，形成所述多個第一開口的步驟包括：

形成光致抗蝕劑層于該第一基底上；

以光刻工藝定義該光致抗蝕劑層，形成光致抗蝕劑圖案；以及

以該光致抗蝕劑圖案為掩模，蝕刻該第一結構層，形成所述多個第一開口。

3.如權利要求1所述的元件的制造方法，其中所述元件位于該第一芯片和該第二芯片中。

4.如權利要求1所述的元件的制造方法，其中所述至少一第一結構層和所述至少一第二結構層包括介電層和導電層。

5.如權利要求1所述的元件的制造方法，其中所述多個第一開口和所述多個第二開口是十字形。

6.如權利要求1所述的元件的制造方法，其中該第一基底于該第一切割線區域中還包括多個測試鍵，且以該黃光光刻和蝕刻工藝移除該第一切割線區域中的部分第一結構層，形成所述多個第一開口的步驟將所述多個測試鍵移除。

7.如權利要求6所述的元件的制造方法，其中所述多個第一開口對應所述多個測試鍵的位置。

8.如權利要求1所述的元件的制造方法，其中沿著該第一切割線區域和該第二切割區域，以穿過所述多個凹穴的方式，切割該堆疊結構的步驟在切割過程中，不產生或產生較少的剝離、崩缺或脫層。

9.如權利要求1所述的元件的制造方法，其中在切割該堆疊結構的過程中不影響該第一結構層和該第二結構層。