[發明專利]EUV用防塵薄膜組件、使用其的EUV用組合體以及組合方法

有效

• 申請號: 201510028801.3
• 申請日: 2015-01-20
• 公開（公告）號: CN104793460B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 山田素行;秋山昌次
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24;G03F1/62
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇;李科

本發明提供一種EUV用防塵薄膜組件，使用其的EUV用組合體以及其組合方法。本發明的EUV用防塵薄膜組件為由將防塵薄膜用網格結構體進行補強了的防塵薄膜結構體以及對該防塵薄膜結構體進行保持的防塵薄膜組件框架構成的EUV用防塵薄膜組件。網格結構體，由于EUV光在掩模面反射，2次通過EUV用防塵薄膜組件，所以在晶片上被投影為2種的影像。本發明的其特征在于，將間隔值進行設定，使所述影像的濃淡對比度比減小至25％以下，并且，這種間隔值，以設定為0.3mm～1.0mm的范圍內為優選。

技術領域

本發明涉及極端紫外線(EUV：Extreme Ultra Violet)用防塵薄膜組件(以下，稱“EUV用防塵薄膜組件”)，本發明進一步涉及減小了投影在晶片的網格結構體的影像的濃淡對比度的EUV用防塵薄膜組件。

背景技術

現在，半導體裝置的高集成化，細微化正在進展，45nm左右的圖案化也已經實用化。對于該圖案化，可以用以往的用準分子光的技術，即，使用ArF的液浸法以及二重曝光等的技術來對應。但是，對下一代的更細微化的32nm以下的圖案化，應用準分子光的曝光技術就難以對應了，用與準分子光相比極短波長的以13.5nm為主波長的EUV光的EUV曝光技術被認為是今后的主流。

進一步，關于該EUV曝光技術的實用化，雖然已經具有相當的進展，但是光源，光刻膠以及防塵薄膜組件，還有很多要解決的技術的課題。例如，關于將決定制造成品率的高低的來防止光掩模上異物附著的防塵用防塵薄膜組件，還有種種要解決的問題，這成了EUV用防塵薄膜組件的實現上的障礙。另外，特別是，防塵薄膜的材料要不僅EUV光的透過率要高，還要沒有由于氧化等造成的隨時間的變化以及具有化學安定行，但是該種材料的開發還沒有頭緒。

以往的EUV用防塵薄膜的材料中有種種問題，特別是，在有機材料中，具有不透EUV光，分解老化的問題。現在，對EUV光的波長帶具有完全的透明性的材料還不存在，例如在下述的專利文獻1以及非專利文獻1中，記載了作為比較透明的材料的硅薄膜。

這些硅的薄膜，從使EUV光的衰減減少的觀點，優選盡量薄的，但是另一方面，這些硅的薄膜，由于是厚度20nm的硅15nm的碳酸銣構成的納米級的極薄薄膜，強度非常小，由此,有不能單獨作為EUV用防塵薄膜來使用的問題。

為了對該問題加以解決，有人提議將有對該極薄膜進行補強作用的蜂窩形狀的結構物和硅的薄膜一體化。例如在專利文獻2中，提議了具有對使用SOI(Silicon OnInsulator)的EUV用防塵薄膜有補強作用的蜂窩結構的網格結構體。

作為該補強用的網格結構體，在蜂窩形狀以外，還有正方形或長方形形狀，或圓形以及角形等的，另外配置有具有任意的形狀的開口部的板狀體等，只要能達到目的，什么形狀都可以使用。進一步，強度，根據網目的間隔，網目的邊寬，網目的邊的高度來進行決定，間隔越窄，邊寬越大，邊越高，強度越大。

但是，這種補強用的網格結構體，由于不透EUV光，所以在使用這種補強用的網格結構體的場合，有必要設置可以透過EUV光的開口部。而且，為了將透過EUV用防塵薄膜組件的EUV光的衰減壓到最小，這種網格結構體的開口率必須提高，但是，如提高強度，網格結構體的開口率就會降低，所以使用網格結構體進行的補強和透過率處于二律背反(你增我減、我增你減)的關系，所以就必須設計符合使用時的條件以及制約的EUV用防塵薄膜組件。

為了用這樣的用網格結構體補強的EUV用防塵薄膜組件，保護掩模的圖案部不受外部的灰塵以及粒子的侵害，可以使用如圖10所示的那樣的EUV曝光機。在這種EUV曝光機中，分段機內的光源的1發出的EUV光，被作為照明光從與由防塵薄膜組件2和掩模3的掩模的掩模圖案面的垂線構成4－8°的角度的方向入射，通過防塵薄膜組件2到達掩模3。這種到達掩模3EUV光，被掩模3反射，再一次通過防塵薄膜組件2，進入光學系統4，在晶片5上成像。