[發(fā)明專利]EUV用防塵薄膜組件、使用其的EUV用組合體以及組合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510028801.3 | 申請日: | 2015-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN104793460B | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山田素行;秋山昌次 | 申請(專利權(quán))人: | 信越化學(xué)工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/24 | 分類號: | G03F1/24;G03F1/62 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;李科 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 防塵薄膜組件 防塵薄膜 網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體 結(jié)構(gòu)體 組合體 影像 防塵薄膜組件框架 濃淡對比度 掩模面 補(bǔ)強(qiáng) 減小 晶片 優(yōu)選 反射 投影 | ||
1.一種EUV用防塵薄膜組件,由將防塵薄膜用網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)了的防塵薄膜結(jié)構(gòu)體以及對該防塵薄膜結(jié)構(gòu)體進(jìn)行保持的防塵薄膜組件框架構(gòu)成的EUV用防塵薄膜組件,網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體,由于EUV光在掩模面反射,2次通過EUV用防塵薄膜組件,所以在晶片上被投影為2種的影像,其特征在于,為了使所述影像的濃淡對比度比減小至25%以下,間隔值為0.3mm~1.0mm。
2.一種EUV用組合體,包括由防塵薄膜被用網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體補(bǔ)強(qiáng)的防塵薄膜結(jié)構(gòu)體以及將該防塵薄膜結(jié)構(gòu)體加以保持的防塵薄膜組件框架構(gòu)成的EUV用防塵薄膜組件和帶有具有側(cè)邊的掩模,所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體,由于EUV光在掩模的面反射,2次通過EUV用防塵薄膜組件,所以在晶片上投影形成2種影像,其特征在于,通過對防塵薄膜組件的間隔值進(jìn)行設(shè)定,使網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體的影像的濃淡對比度比減小至25%以下,同時,構(gòu)成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體的任意的網(wǎng)格邊和掩模的至少一個側(cè)邊形成的投影角度比0°大并且在30°以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的EUV用組合體,其特征在于,對使網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體的影像的濃淡對比度比減小至25%以下的任意的所述間隔值進(jìn)行設(shè)定,以使?jié)獾瓕Ρ榷缺葹闃O小。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的EUV用組合體,其特征在于,所述間隔值以及投影角度,被設(shè)定為使?jié)獾瓕Ρ榷缺葹闃O小。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的EUV用組合體,其特征在于所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體的網(wǎng)狀單位的形狀優(yōu)選為四角形或正六角形。
6.一種EUV用組合體的組合方法,所述組合體包括,由防塵薄膜被用網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體補(bǔ)強(qiáng)的防塵薄膜結(jié)構(gòu)體以及將該防塵薄膜結(jié)構(gòu)體加以保持的防塵薄膜組件框架構(gòu)成的EUV用防塵薄膜組件和帶有具有側(cè)邊的掩模,所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體,由于EUV光在掩模的面反射,2次通過EUV用防塵薄膜組件,在晶片上投影形成2種影像,其特征在于,包括,對防塵薄膜組件的間隔值進(jìn)行使網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體的影像的濃淡對比度比減少至25%以下的設(shè)定工序,以及將所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)體在相對于掩模投影角度為比0°大且30°以下的范圍內(nèi)進(jìn)行轉(zhuǎn)動,直至濃淡對比度比為極小的設(shè)定工序。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





