[發明專利]無電鍍金液

有效

• 申請號: 201510028302.4
• 申請日: 2015-01-20
• 公開（公告）號: CN105862016B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 李臺鎬;韓德坤;成泰賢
• 申請（專利權）人: 韓國明全化工有限公司
• 主分類號: C23C18/44
• 分類號: C23C18/44
• 代理公司: 上海和躍知識產權代理事務所(普通合伙)31239
• 代理人: 胡艷

相關申請的交叉引用

本申請要求于2014年8月6日提交的韓國專利申請第2014-101171號的優先權和權益，該專利申請的全部公開內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

本發明涉及無電鍍金液，更具體地本發明涉及一種如下的無電鍍金液：可通過在相同的鍍浴中進行置換反應和還原反應而在不腐蝕基底金屬的情況下完成鍍金、并且同時滿足無鉛焊接的焊接性和引線接合性能、并且具有優異的穩定性從而可以持續地維持金沉積速率。

背景技術

為了連接電子元件而對印刷電路板進行鍍金。印刷電路板上的鍍金是在制造工藝中所執行的最后步驟，用以防止焊盤表面的氧化，因為鍍金對電子元件的安裝性能和焊接性能等產生很大程度的影響，所以它對電子元件的可靠性具有較大的影響。

近來，作為更高度地集成和精細化的電路，需要通電的電鍍金的方法正在被無電鍍金方法所代替。

無電鍍金方法包括：通過使用還原劑的自身催化的沉積進行鍍金的還原鍍方法、和以金置換基底金屬的置換鍍方法。在使用還原劑的自身催化無電鍍金方法的情況下，其應用是有限的，因為鍍金的厚度是不足的；在置換鍍方法的情況下，其應用是有限的，因為在基底金屬中發生腐蝕并且鍍金的厚度是不足的。在使用還原劑的自身催化無電鍍金方法的情況下，鍍金的附著力變得不均勻，因此在進行無鉛焊接時不能確保焊接性。

業界已對增加鍍層的附著力同時抑制對基底金屬的腐蝕并且提高無電鍍金液的穩定性進行了許多研究。基于尋找合適還原劑或者其中在無電鍍金方法中添加金屬洗脫抑制劑的研究，引入了使用抗壞血酸(日本專利公開第1989-191782號)、肼化合物(日本專利公開第1991-215677號)、硫脲(日本專利公開第1997-287077號)、和苯基化合物(日本專利公開第2972209號)作為還原劑的方法；和使用苯并噻唑化合物(日本專利公開第1992-314871號)、巰基苯并噻唑化合物(日本專利公開第1992-350172號)、對苯二酚化合物(日本專利公開第2003-268559號)作為金屬洗脫抑制劑的方法。

此外，美國專利第6,855,191號公開了一種使用2-巰基苯并噻唑作為穩定劑的方法，美國專利第6,383,269號公開了一種使用羥胺化合物作為還原劑的方法，美國專利第5,935,306號公開了一種使用抗壞血酸或其鹽作為還原劑的方法，美國專利第5,601,637號公開了一種使用硝基苯磺酸鈉和/或對硝基苯甲酸作為氧化劑來控制還原速率的方法。

然而，在解決諸如沉積速率、鍍浴穩定性、鍍層附著力的維持，基底金屬的腐蝕等問題中存在著限制，因此對于更穩定的鍍浴、沉積速率的連續維持、防止對基底金屬的腐蝕、和附著力增加的研究繼續地進行；并且對其中除了水溶性金化合物、絡合劑和還原劑以外進一步添加水溶性胺化合物的實現無電鍍金的無電鍍金方法進行了研究并已看到了諸多進展。

添加水溶性胺化合物的這種無電鍍金方法的常規技術如下。

在韓國專利申請第2003-0045071號中，將在上述化合物中最為有效的乙二胺化合物用作一種水溶性胺，并且將對苯二酚、甲基對苯二酚等用作苯基化合物。

在韓國專利申請第2006-0016767號中，將乙二胺或甘氨酸用作一種水溶性胺，并且將羥烷基磺酸或其鹽用作還原劑。

在韓國專利申請第2008-0066570號中，將乙二胺衍生物用作一種水溶性胺，并且將甲醛亞硫酸氫鹽用作還原劑。

在韓國專利申請第2012-0031990號中，將聚乙烯胺用作一種水溶性胺，并且將硼氫化物和硼化合物用作還原劑。

然而，在上述的常規技術中，盡管使用水溶性胺化合物會減慢置換反應速率，但并不能完全防止在基底金屬中所發生的腐蝕和凹點，并且在250至260℃范圍內的無鉛焊接溫度下不能確保無鉛焊接的焊接性。

近來，由于禁止Sn/Pb焊料的使用，鍍層的方法已轉變為使用無鉛(Sn/Ag/Cu)焊料的焊接方法，其中焊接溫度已升高到250至260℃的范圍內，造成熱負荷增加，因此需要具有增強特性的無電鍍金方法來克服熱負荷。

隨著無鉛(Sn/Ag/Cu)焊料的使用，需要ENEPIG(無電鍍鎳/無電鍍鈀/浸金)方法的無電鍍金方法。