[發明專利]適用于AMOLED的TFT背板制作方法及結構

在審

• 申請號: 201510028232.2
• 申請日: 2015-01-20
• 公開（公告）號: CN104659285A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 張占東
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司;武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種適用于AMOLED的TFT背板制作方法及結構。

背景技術

平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。現有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid?Crystal?Display，LCD)及有機發光二極管顯示器件(Organic?Light?Emitting?Display，OLED)。

有機發光二極管顯示器件由于同時具備自發光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異特性，被認為是下一代平面顯示器的新興應用技術。

OLED按照驅動類型可分為無源矩陣型OLED(Passive?Matrix?OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active?Matrix?OLED，AMOLED)。AMOLED具有反應速度更快、對比度更高、視角更寬廣等特點，其通常包括基板、形成于基板上的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)及形成于薄膜晶體管上的有機發光二極管，所述薄膜晶體管驅動有機發光二極管發光，進而顯示相應的畫面。具體的，所述薄膜晶體管至少包括一個驅動薄膜晶體管(Driving?TFT)和一個開關薄膜晶體管(Switch?TFT)，通過所述開關薄膜晶體管控制驅動薄膜晶體管的打開與關閉，通過所述驅動薄膜晶體管在飽和狀態時產生的電流驅動有機發光二級管發光，通過向驅動薄膜晶體管輸入不同的灰階電壓產生不同的驅動電流實現面板灰階控制。驅動薄膜晶體管的亞閾值擺幅(sub-threshold?swing，S.S.)將直接影響顯示面板的灰階切換性能。

薄膜晶體管的亞閾值擺幅取決于柵極電容的大小，柵極電容的大小又取決于柵極絕緣層的厚度，因此可通過增加柵極絕緣層的厚度，提高驅動薄膜晶體管的亞閾值擺幅，以提升顯示面板的灰階切換性能。

請參閱圖1，現有的一種適用于AMOLED的TFT背板結構包括開關薄膜晶體管T1與驅動薄膜晶體管T2，其中的柵極絕緣層為雙層結構，包括第一柵極絕緣層4、及第二柵極絕緣層6，通過調整第二柵極絕緣層6的厚度可以達到增加驅動薄膜晶體管T2的亞閾值擺幅的效果。該現有的適用于AMOLED的TFT背板的制作流程為：首先在基板1上沉積緩沖層2，接著沉積非晶硅(a-si)層，通過準分子激光退火(ELA)工藝將所述非晶硅層轉化結晶為多晶硅(poly-Si)層，再將所述多晶硅層進行圖案化處理，并進行離子摻雜，形成包括開關薄膜晶體的有源層31和驅動薄膜晶體管的有源層32的有源層3，通過化學氣相沉積(CVD)工藝在有源層3及緩沖層2上沉積第一柵極絕緣層4，通過濺射及光刻工藝形成開關薄膜晶體管的柵極5，通過化學氣相沉積(CVD)工藝在開關薄膜晶體管的柵極5及第一柵極絕緣層4上沉積第二柵極絕緣層6，通過濺射及光刻工藝形成驅動薄膜晶體管的柵極7，之后再依次形成層間絕緣層8、源/漏極9，完成TFT背板的制作。該制作方法中需要沉積兩層柵極絕緣層來增加驅動薄膜晶體管T2的亞閾值擺幅，制作工藝較繁瑣，制作效率較低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種適用于AMOLED的TFT背板制作方法，該方法能夠簡化TFT背板的制作流程，減少制作工藝數量，以較少的制程達到增加驅動TFT亞閾值擺幅的目的，提高AMOLED面板的灰階切換與控制性能。

本發明的目的還在于提供一種適用于AMOLED的TFT背板結構，能夠增加驅動TFT的亞閾值擺幅，提高AMOLED面板的灰階切換與控制性能，且制作工藝簡單。

為實現上述目的，本發明首先提供一種適用于AMOLED的TFT背板制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板，在所述基板上沉積一緩沖層；

步驟2、在所述緩沖層上形成有源層，再在所述有源層及緩沖層上沉積一柵極絕緣層；

所述有源層包括開關薄膜晶體管的有源層和驅動薄膜晶體管的有源層；

步驟3、對所述柵極絕緣層進行圖案化處理，形成一位于所述開關薄膜晶體管的有源層上方的凹陷部，使位于所述開關薄膜晶體管的有源層上方的柵極絕緣層的厚度小于位于所述驅動薄膜晶體管的有源層上方的柵極絕緣層的厚度；

步驟4、通過濺射及光刻工藝在所述柵極絕緣層上形成開關薄膜晶體管的柵極、及驅動薄膜晶體管的柵極；

所述開關薄膜晶體管的柵極位于所述凹陷部上；

步驟5、在所述開關薄膜晶體管的柵極、驅動薄膜晶體管的柵極、及柵極絕緣層上沉積一層間絕緣層。