[發明專利]適用于AMOLED的TFT背板制作方法及結構

在審

• 申請號: 201510028232.2
• 申請日: 2015-01-20
• 公開（公告）號: CN104659285A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 張占東
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司;武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種適用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉積一緩沖層(20)；

步驟2、在所述緩沖層(20)上形成有源層(30)，再在所述有源層(30)及緩沖層(20)上沉積一柵極絕緣層(40)；

所述有源層(30)包括開關薄膜晶體管的有源層(302)和驅動薄膜晶體管的有源層(301)；

步驟3、對所述柵極絕緣層(40)進行圖案化處理，形成一位于所述開關薄膜晶體管的有源層(302)上方的凹陷部(401)，使位于所述開關薄膜晶體管的有源層(302)上方的柵極絕緣層(40)的厚度小于位于所述驅動薄膜晶體管的有源層(301)上方的柵極絕緣層(40)的厚度；

步驟4、通過濺射及光刻工藝在所述柵極絕緣層(40)上形成開關薄膜晶體管的柵極(50)、及驅動薄膜晶體管的柵極(60)；

所述開關薄膜晶體管的柵極(50)位于所述凹陷部(401)上；

步驟5、在所述開關薄膜晶體管的柵極(50)、驅動薄膜晶體管的柵極(60)、及柵極絕緣層(40)上沉積一層間絕緣層(70)。

2.如權利要求1所述的適用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，還包括步驟6、在所述開關薄膜晶體管的有源層(302)和驅動薄膜晶體管的有源層(301)的相應區域形成開關薄膜晶體管的源/漏極(90)和驅動薄膜晶體管的源/漏極(80)。

3.如權利要求1所述的適用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述步驟2包括：

步驟21、在所述緩沖層(20)上沉積一非晶硅層；

步驟22、通過準分子激光退火工藝將所述非晶硅層轉化為多晶硅層；

步驟23、圖案化所述多晶硅層，再對多晶硅層進行離子摻雜制程，形成包括開關薄膜晶體管的有源層(302)和驅動薄膜晶體管的有源層(301)的有源層(30)；

步驟24、在所述有源層(30)及緩沖層(20)上沉積一柵極絕緣層(40)。

4.如權利要求3所述的適用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述步驟24采用化學氣相沉積工藝在所述有源層(30)及緩沖層(20)上沉積一柵極絕緣層(40)。

5.如權利要求1所述的適用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述基板(10)為透明基板；所述緩沖層(20)包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述柵極絕緣層(40)包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合。

6.如權利要求1所述的適用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述步驟3中采用光刻工藝對所述柵極絕緣層(40)進行圖案化處理，形成所述位于開關薄膜晶體管的有源層(302)上方的凹陷部(401)。

7.如權利要求2所述的適用于AMOLED的TFT背板制作方法，其特征在于，所述開關薄膜晶體管的柵極(50)、及驅動薄膜晶體管的柵極(60)的材料為鉬；所述層間絕緣層(70)包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合；所述開關薄膜晶體管的源/漏極(90)和驅動薄膜晶體管的源/漏極(80)均通過形成于層間絕緣層(70)與柵極絕緣層(40)上的過孔與所述開關薄膜晶體管的有源層(302)和驅動薄膜晶體管的有源層(301)的相應區域接觸。

8.一種適用于AMOLED的TFT背板結構，其特征在于，包括：

基板(10)；

設于所述基板(10)上緩沖層(20)；

設于所述緩沖層(20)上的有源層(30)，所述有源層(30)包括開關薄膜晶體管的有源層(302)和驅動薄膜晶體管的有源層(301)；

設于所述有源層(30)及緩沖層(20)上的柵極絕緣層(40)，所述柵極絕緣層(40)對應于所述開關薄膜晶體管的有源層(302)的位置設有一凹陷部(401)；

設于所述凹陷部(401)上的開關薄膜晶體管的柵極(50)、位于所述驅動薄膜晶體管的有源層(301)的上方并設于所述柵極絕緣層(40)上的驅動薄膜晶體管的柵極(60)；

設于所述開關薄膜晶體管的柵極(50)、驅動薄膜晶體管的柵極(60)、及柵極絕緣層(40)上的層間絕緣層(70)。