[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510025438.X
• 申請(qǐng)日: 2015-01-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104538409B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭和宜;黃馨諄;鄭景升
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L29/786;H01L29/417;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 李昕巍,趙根喜

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種陣列基板，尤指一種具有不對(duì)稱(chēng)的薄膜晶體管設(shè)計(jì)而具有縮減的像素尺寸的陣列基板。

背景技術(shù)

顯示面板的陣列基板(亦稱(chēng)為薄膜晶體管基板)包括多條柵極線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)，其中柵極線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)彼此交叉而定義出像素陣列，且像素陣列包括多個(gè)呈陣列排列的子像素。隨著市場(chǎng)需求的變化，高解析度是目前顯示面板的重要發(fā)展趨勢(shì)。例如，目前市場(chǎng)上已出現(xiàn)采用FHD解析度(1920*1080)顯示面板的智能手機(jī)。然而，受限于制程能力的極限，子像素的尺寸無(wú)法進(jìn)一步的縮減，成為了高解析度顯示面板發(fā)展上的一大瓶頸。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的之一在于提供一種具有高解析度的陣列基板。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種陣列基板，包括一基底、多條柵極線(xiàn)、多條第一數(shù)據(jù)線(xiàn)、多條第二數(shù)據(jù)線(xiàn)、多個(gè)第一薄膜晶體管以及多個(gè)第二薄膜晶體管。柵極線(xiàn)設(shè)置于基底上并實(shí)質(zhì)上分別沿一第一方向延伸。第一數(shù)據(jù)線(xiàn)與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)設(shè)置于基底上并實(shí)質(zhì)上分別沿一第二方向延伸。第一數(shù)據(jù)線(xiàn)與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)沿第一方向上依序交替排列，各第一數(shù)據(jù)線(xiàn)具有多條第一數(shù)據(jù)線(xiàn)段，分別設(shè)置于兩相鄰的柵極線(xiàn)之間，且各第二數(shù)據(jù)線(xiàn)具有多條第二數(shù)據(jù)線(xiàn)段，分別設(shè)置于兩相鄰的柵極線(xiàn)之間。第一薄膜晶體管設(shè)置于基底上。各第一薄膜晶體管包括一第一柵極、一第一源極與一第一漏極，其中第一柵極連接于對(duì)應(yīng)的柵極線(xiàn)，第一源極連接于對(duì)應(yīng)的兩相鄰的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)段之間并與對(duì)應(yīng)的第一柵極至少部分重疊。第二薄膜晶體管設(shè)置于基底上。各第二薄膜晶體管包括一第二柵極、一第二源極與一第二漏極，其中第二柵極連接于對(duì)應(yīng)的柵極線(xiàn)，且第二源極連接于對(duì)應(yīng)的兩相鄰的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)段之間并與對(duì)應(yīng)的第二柵極至少部分重疊。在第一方向上依序排列的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)段、第二數(shù)據(jù)線(xiàn)段以及下一個(gè)第一數(shù)據(jù)線(xiàn)段依序定義出一第一間距以及一第二間距，其中第二間距大于第一間距。分別對(duì)應(yīng)上述依序排列的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)段、第二數(shù)據(jù)線(xiàn)段以及下一個(gè)第一數(shù)據(jù)線(xiàn)段而在第一方向上依序排列的第一源極、第二源極及下一個(gè)第一源極依序定義出一第三間距及一第四間距，其中第三間距大于第一間距，且第四間距小于第二間距。

本發(fā)明的陣列基板利用不對(duì)稱(chēng)的薄膜晶體管設(shè)計(jì)，利用第一源極和/或第二源極的偏移設(shè)置，可以有效縮減子像素寬度進(jìn)而提升陣列基板的解析度。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例的陣列基板的上視圖。

圖2為圖1的陣列基板沿剖線(xiàn)A-A’與剖線(xiàn)B-B’的剖視圖。

圖3為本發(fā)明的一對(duì)照實(shí)施例的陣列基板的上視圖。

圖4為本發(fā)明的第二實(shí)施例的陣列基板的上視圖。

圖5為圖4的陣列基板沿剖線(xiàn)C-C’與剖線(xiàn)D-D’的剖視圖。

圖6為本發(fā)明的第三實(shí)施例的陣列基板的上視圖。

圖7為圖6的陣列基板沿剖線(xiàn)E-E’與剖線(xiàn)F-F’的剖視圖。

其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：

1 陣列基板

10 基底

GL 柵極線(xiàn)

DL1 第一數(shù)據(jù)線(xiàn)

DL2 第二數(shù)據(jù)線(xiàn)

T1 第一薄膜晶體管

T2 第二薄膜晶體管

L1 第一方向

L2 第二方向

DL1_1 第一數(shù)據(jù)線(xiàn)段

DL2_2 第二數(shù)據(jù)線(xiàn)段

G1 第一柵極

SE1 第一半導(dǎo)體通道層

S1 第一源極

D1 第一漏極

GI 柵極絕緣層

G2 第二柵極

SE2 第二半導(dǎo)體通道層

S2 第二源極

D2 第二漏極

W1 第一間距

W2 第二間距

W3 第三間距

W4 第四間距

E1 第一邊緣

E2 第二邊緣

L3 第三方向

Cx 凹陷部

Px 突出部

PE1 第一像素電極

PE2 第二像素電極

12 介電層

12H 開(kāi)口

1’ 陣列基板

W1’ 第一間距

W2’ 第二間距

W3’ 第三間距

W4’ 第四間距

2 陣列基板

E3 第三邊緣

E4 第四邊緣

3 陣列基板

Cx1 第一凹陷部

Px1 第一突出部