[發明專利]陣列基板有效
| 申請號: | 201510025438.X | 申請日: | 2015-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN104538409B | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 鄭和宜;黃馨諄;鄭景升 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/417;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人: | 李昕巍,趙根喜 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 | ||
1.一種陣列基板,包括:
一基底;
多條柵極線,設置于該基底上并實質上分別沿一第一方向延伸;
多條第一數據線與多條第二數據線,設置于該基底上并實質上分別沿一第二方向延伸,其中該多條第一數據線與該多條第二數據線沿該第一方向上依序交替排列,各該第一數據線具有多條第一數據線段,分別設置于兩相鄰的該多條柵極線之間,且各該第二數據線具有多條第二數據線段,分別設置于兩相鄰的該多條柵極線之間;
多個第一薄膜晶體管,設置于該基底上,其中各該第一薄膜晶體管包括:
一第一柵極,連接于對應的該柵極線;
一第一源極,連接于對應的兩相鄰的該多條第一數據線段之間并與對應的該第一柵極至少部分重疊;以及
一第一漏極;以及
多個第二薄膜晶體管,設置于該基底上,其中各該第二薄膜晶體管包括:
一第二柵極,連接于對應的該柵極線;
一第二源極,連接于對應的兩相鄰的該多條第二數據線段之間并與對應的該第二柵極至少部分重疊;以及
一第二漏極;
其中在該第一方向上依序排列的該第一數據線段、該第二數據線段以及下一個該第一數據線段依序定義出一第一間距以及一第二間距,該第二間距大于該第一間距,分別對應上述依序排列的該第一數據線段、該第二數據線段以及下一個該第一數據線段而在該第一方向上依序排列的該第一源極、該第二源極及下一個該第一源極依序定義出一第三間距及一第四間距,該第三間距大于該第一間距,且該第四間距小于該第二間距。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,其中該多個第一源極與該多個第二源極具有不同的圖案。
3.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,其中各該第一源極具有一第一邊緣面對相對應的該第一漏極,以及一第二邊緣背對相對應的該第一漏極,該第一邊緣沿相反于該第一方向的一第三方向凹陷而形成一凹陷部,且該第二邊緣沿該第三方向突出而形成一突出部。
4.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,其中各該第二源極具有一第三邊緣面對相對應的該第二漏極,以及一第四邊緣背對相對應的該第二漏極,該第三邊緣沿該第一方向突出而形成一突出部,且該第四邊緣沿該第一方向凹陷而形成一凹陷部。
5.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,其中各該第一源極具有一第一邊緣面對相對應的該第一漏極,以及一第二邊緣背對相對應的該第一漏極,該第一邊緣沿相反于該第一方向的一第三方向凹陷而形成一第一凹陷部,該第二邊緣沿該第三方向突出而形成一第一突出部,各該第二源極具有一第三邊緣面對相對應的該第二漏極,以及一第四邊緣背對相對應的該第二漏極,該第三邊緣沿該第一方向突出而形成一第二突出部,且該第四邊緣沿該第一方向凹陷而形成一第二凹陷部。
6.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,另包括:
多個第一像素電極,分別與該多個第一漏極電性連接;以及
多個第二像素電極,分別與該多個第二漏極電性連接。
7.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,其中該第一間距與該第二間距之和實質上等于該第三間距與該第四間距之和。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





