[發(fā)明專利]一種石墨烯基壓力傳感器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510023523.2 | 申請日: | 2015-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN104617090A | 公開(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林時勝;徐志娟;鐘匯凱;章盛嬌;吳志乾;李曉強;王朋;陳紅勝 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01;G01L9/08;G01L1/16 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 韓介梅 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 石墨 壓力傳感器 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種壓力傳感器及其制備方法,特別涉及一種石墨烯/BN/PVDF壓電薄膜壓力傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)
壓力傳感器是直接與被測介質(zhì)相接觸的現(xiàn)場測試器件,廣泛應(yīng)用與電力、石油、化工及醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,傳感器不斷地更新?lián)Q代,并希望其精確度高、能耗低及尺寸小等。
自從石墨烯材料在2004年首次被穩(wěn)定制備出來以后,越來越多的研究發(fā)現(xiàn)石墨烯材料具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)性質(zhì),如極高的載流子遷移率、高透光性、高的楊氏模量等,能夠應(yīng)用于各種領(lǐng)域。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制備工藝簡單并可實現(xiàn)自發(fā)電的石墨烯基壓力傳感器及其制備方法。
本發(fā)明的石墨烯基壓電傳感器,自下而上依次有PVDF壓電薄膜、第一石墨烯層、氮化硼層和第二石墨烯層,所述的壓電傳感器還設(shè)有第一電極和第二電極,第一電極設(shè)置在第一石墨烯層上,第二電極設(shè)置在第二石墨烯層上。
上述技術(shù)方案中,所述的第一石墨烯層及第二石墨烯層中的石墨烯均通常為1層至10層。
所述的氮化硼層中的氮化硼通常為1層至50層。
所述的第一電極和第二電極均可以是金、鈀、銀、鈦、鉻和鎳中的一種或者幾種的復(fù)合電極。
制備上述的石墨烯基壓電傳感器的方法,包括如下步驟:
1)清洗PVDF壓電薄膜并吹干;
2)將石墨烯轉(zhuǎn)移到步驟1)所得的PVDF壓電薄膜上,在PVDF壓電薄膜上獲得第一石墨烯層;
3)將氮化硼轉(zhuǎn)移到步驟2)所得的第一石墨烯層上,并在第一石墨烯層上預(yù)留生長第一電極的面積;
4)將石墨烯轉(zhuǎn)移到步驟3)所得氮化硼層上,在氮化硼層上獲得第二石墨烯層;
5)在第一石墨烯層預(yù)留面積處制作第一電極,在第二石墨烯層上制作第二電極。
本發(fā)明具有的有益效果是:本發(fā)明的壓力傳感器利用石墨烯材料的高透光性及高導(dǎo)電性,并結(jié)合PVDF壓電薄膜的壓電性質(zhì),不需要外加電源便可工作,可以通過電壓或者電流檢測壓力;同時可以做到超薄和半透明,易于集成應(yīng)用,此外本發(fā)明的制備方法工藝簡單,成本低,便于推廣。
附圖說明
圖1為石墨烯基壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為石墨烯基壓力傳感器測試結(jié)果。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步說明。
參照圖1,本發(fā)明的石墨烯基壓力傳感器,其自下而上依次有PVDF壓電薄膜1、第一石墨烯層2、氮化硼層3和第二石墨烯層4,所述的壓電傳感器還設(shè)有第一電極5和第二電極6,第一電極5設(shè)置在第一石墨烯層2上,第二電極6設(shè)置在第二石墨烯層4上。
實施例1:
1)分別使用等離子水、丙酮和異丙醇清洗30um厚的PVDF壓電薄膜并吹干;
2)轉(zhuǎn)移1層石墨烯到步驟1)所得的PVDF壓電薄膜上;
3)轉(zhuǎn)移1層氮化硼到步驟2)所得的石墨烯層上,并在石墨烯層上預(yù)留生長第一電極的面積;
4)再將1層石墨烯轉(zhuǎn)移到步驟3)所得的氮化硼層上;
5)在下層石墨烯層的預(yù)留面積處及最上層的石墨烯層上利用熱蒸發(fā)工藝分別沉積銀電極,得到石墨烯基壓力傳感器。
直接按壓所得壓力傳感器器件,測量兩電極間的電壓或電流變化,從而反應(yīng)壓力的變化,本實例所制備的壓力傳感器的測試結(jié)果如圖2所示,可以看出當(dāng)按壓時,電流明顯變化。
實施例2:
1)分別使用等離子水、丙酮和異丙醇清洗100um厚的PVDF壓電薄膜并吹干;
2)轉(zhuǎn)移10層石墨烯到步驟1)所得的PVDF壓電薄膜上;
3)將50層氮化硼轉(zhuǎn)移到步驟2)所得的石墨烯層上,并在石墨烯層上預(yù)留生長第一電極的面積;
4)再將10層石墨烯轉(zhuǎn)移到步驟3)所得的氮化硼層上;
5)在下層石墨烯層的預(yù)留面積處及最上層石墨烯層上利用磁控濺射工藝分別沉積金電極,得到石墨烯基壓力傳感器。
實施例3:
1)分別使用等離子水、丙酮和異丙醇清洗300um厚的PVDF壓電薄膜并吹干;
2)轉(zhuǎn)移5層石墨烯到步驟1)所得的PVDF壓電薄膜上;
3)轉(zhuǎn)移20層氮化硼到步驟2)所得的石墨烯層上,并在石墨烯層上預(yù)留生長第一電極的面積;
4)再將10層石墨烯轉(zhuǎn)移到步驟3)所得的氮化硼層上;
5)在下層石墨烯層預(yù)留面積處及最上層的石墨烯層上利用熱蒸發(fā)工藝分別沉積鈦鈀銀復(fù)合電極,得到石墨烯基壓力傳感器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





