[發明專利]一種石墨烯基壓力傳感器及其制備方法

在審

• 申請號: 201510023523.2
• 申請日: 2015-01-16
• 公開（公告）號: CN104617090A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發明（設計）人: 林時勝;徐志娟;鐘匯凱;章盛嬌;吳志乾;李曉強;王朋;陳紅勝
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;G01L9/08;G01L1/16
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.一種石墨烯基壓電傳感器，其特征在于自下而上依次有PVDF壓電薄膜（1）、第一石墨烯層（2）、氮化硼層（3）和第二石墨烯層（4），所述的壓電傳感器還設有第一電極（5）和第二電極（6），第一電極（5）設置在第一石墨烯層（2）上，第二電極（6）設置在第二石墨烯層（4）上。

2.根據權利要求1所述的石墨烯基壓電傳感器，其特征在于所述的第一石墨烯層（2）及第二石墨烯層（4）中的石墨烯均為1層至10層。

3.根據權利要求1所述的石墨烯基壓電傳感器，其特征在于所述的氮化硼層（3）中的氮化硼為1層至50層。

4.根據權利要求1所述的石墨烯基壓電傳感器，其特征在于所述的第一電極（5）和第二電極（6）均為金、鈀、銀、鈦、鉻和鎳中的一種或者幾種的復合電極。

5.制備如權利要求1-4任一項所述的石墨烯基壓電傳感器的方法，其特征在于包括如下步驟：

1）清洗PVDF壓電薄膜并吹干；

2）將石墨烯轉移到步驟1）所得的PVDF壓電薄膜上，在PVDF壓電薄膜上獲得第一石墨烯層；

3）將氮化硼轉移到步驟2）所得的第一石墨烯層上，并在第一石墨烯層上預留生長第一電極的面積；

4）將石墨烯轉移到步驟3）所得氮化硼層上，再氮化硼層上獲得第二石墨烯層；

5）在第一石墨烯層預留面積處制作第一電極，在第二石墨烯層上制作第二電極。