[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510018698.4
• 申請(qǐng)日: 2015-01-14
• 公開（公告）號(hào): CN104779173A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奧村綾香;堀田勝?gòu)?/a>;近藤由憲;大坂宏彰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/8238;H01L27/092;H01L23/485
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件，例如涉及一種可適用于具有焊接區(qū)域的半導(dǎo)體器件的制造方法及具有焊接區(qū)域的半導(dǎo)體器件的技術(shù)。

背景技術(shù)

具有MISFET等半導(dǎo)體元件及布線的半導(dǎo)體器件是通過(guò)在半導(dǎo)體襯底上層積氧化硅膜、氮化硅膜等絕緣膜、半導(dǎo)體膜及導(dǎo)電性膜而形成的。如上所述，所述半導(dǎo)體元件經(jīng)由多層布線與焊接區(qū)域電連接。所述焊接區(qū)域經(jīng)由鍵合線及凸塊電極等與外部端子耦合。

例如，在日本特開2002－75996號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中公開了如下技術(shù)，即在對(duì)鈍化膜進(jìn)行蝕刻的工序之后，再用含有氟化銨的液體對(duì)布線層表面進(jìn)行蝕刻，便可防止焊墊的接觸不良。

另外，在日本特開1992－186838號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中，公開了如下技術(shù)，即：用三氯化硼(BCl₃)氣體將鋁(Al)布線表面的汚染層即Al₂O₃除去后，在布線表面上形成氮化鋁(AlN)的技術(shù)。

專利文獻(xiàn)1?日本特開2002－75996號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2?日本特開1992－186838號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本案發(fā)明人從事具有焊接區(qū)域的半導(dǎo)體器件的研究開發(fā)工作，對(duì)于如何提高其特性一直銳意探討。在進(jìn)行研究的過(guò)程中，明確了具有焊接區(qū)域的半導(dǎo)體器件還具有進(jìn)一步改善的余地。

本發(fā)明的所述內(nèi)容及所述內(nèi)容以外的目的和新特征將在本說(shuō)明書?的描述及附圖說(shuō)明中寫明。

下面對(duì)本發(fā)明中所公開的具有代表性實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)概要進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明。

本發(fā)明所公開的具有代表性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件制造方法包括如下工序，即：在具有鋁的布線上的絕緣膜上形成使布線表面的一部分露出的開口部的工序；以及在所露出的布線的表面上形成氮化鋁的工序。

本發(fā)明所公開的具有代表性實(shí)施方式中的半導(dǎo)體器件形成于含有鋁的布線上，且具有包括具有開口部的絕緣膜、以及在開口部底面中在布線上形成的氮化鋁。

根據(jù)本發(fā)明所公開的具有代表性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法，便可制造出特性良好的半導(dǎo)體器件。

另外，根據(jù)本發(fā)明所公開的具有代表性實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，還可提高半導(dǎo)體器件的特性。

附圖說(shuō)明

圖1所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖2A、圖2B所示的分別是第1實(shí)施方式及比較例中半導(dǎo)體器件的焊接區(qū)域及半導(dǎo)體襯底背面的狀態(tài)的模式示意截面圖。

圖3所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖4所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖3的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖5所示的是第1實(shí)施方式中所使用的CVD裝置的模式截面圖。

圖6所示的是第1實(shí)施方式中所使用的裝置的模式截面圖。

圖7所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖4的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖8所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖7的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖9所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接?著圖8的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖10所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖9的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖11所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖10的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖12所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖11的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖13所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖12的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖14所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖13的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖15所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖14的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖16所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖15的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖17所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖16的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖18所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖17的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。

圖19所示的是第1實(shí)施方式中半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖，即接著圖18的半導(dǎo)體器件制造工序的截面圖。