[發明專利]半導體器件的制造方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201510018698.4
• 申請日: 2015-01-14
• 公開（公告）號: CN104779173A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 奧村綾香;堀田勝彥;近藤由憲;大坂宏彰
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/8238;H01L27/092;H01L23/485
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

工序(a)，在半導體襯底的表面的上方形成氮化硅膜；

工序(b)，在所述氮化硅膜的上方形成第1布線；

工序(c)，經由第1絕緣膜在所述第1布線之上形成含有鋁的第2布線；

工序(d)，在所述第2布線之上形成第2絕緣膜；

工序(e)，通過除去所述第2布線之上的所述第2絕緣膜，形成使所述第2布線的一部分露出的開口部；以及

工序(f)，在所述工序(e)之后，在露出的所述第2布線的表面上形成氮化鋁；

其中，在所述工序(a)中，在所述半導體襯底的背面也形成所述氮化硅膜。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)是在保持所述半導體襯底的外周且所述半導體襯底的背面的至少一部分露出的狀態下，通過化學氣相沉積法對所述氮化硅膜進行成膜的工序。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)在同一處理裝置內，分別在多個所述半導體襯底的每一個上形成所述氮化硅膜。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(f)為氮化合物的等離子處理。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述氮化合物為氨(NH3)。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

還具有工序(g)，所述工序(g)在所述工序(f)之后，在具有所述氮化鋁之上的所述第2布線的露出表面上形成導電性部件，并實現所述第2布線與所述導電性部件的電連接。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(f)之后，且在所述工序(g)之前，還具有將所述半導體器件保存在收納容器內的工序。

8.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述導電性部件為鍵合線或凸塊電極。

9.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

還具有實驗工序(h)，所述實驗工序(h)在所述工序(f)和所述工序(g)之間，對具有所述氮化鋁之上的所述第2布線的露出表面施加電信號。

10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(c)為通過對含有鋁的導電性膜進行蝕刻，以形成所述第2布線的工序，

所述半導體器件的制造方法還具有工序(i)，所述工序(i)在所述工序(c)和所述工序(d)之間，在第2布線的側壁形成氧化鋁。

11.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)為在MISFET的柵極電極的兩側形成具有所述氮化硅膜的側壁絕緣膜的工序。

12.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)是通過所述氮化硅膜和位于所述氮化硅膜的上部的氧化硅膜的積層膜覆蓋MISFET的上部的工序。

13.一種半導體器件，其特征在于，

具有：

在半導體襯底的表面側的上方形成的氮化硅膜；

在所述氮化硅膜的上方形成的第1布線；

經由第1絕緣膜在所述第1布線之上形成的含有鋁的第2布線；

在所述第2布線之上具有開口部的第2絕緣膜；以及

在所述開口部的底面形成在所述第2布線之上的氮化鋁。

14.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，

在所述開口部的底面的所述第2布線之上形成有鍵合線或凸塊電極。

15.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，

在所述開口部的底面的所述第2布線之上具有針痕。

16.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，

在所述第2布線的側壁上具有氧化鋁。

17.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，

在所述開口部的底面的所述第2布線之上具有所述氮化鋁及氧化鋁。