[發明專利]一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片

在審

• 申請號: 201510018209.5
• 申請日: 2015-01-14
• 公開（公告）號: CN104695011A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 孫永強;馮淦;趙建輝
• 申請（專利權）人: 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C30B29/36
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 曾少麗

技術領域

本發明涉及外延生長設備技術領域，特別涉及一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片。

背景技術

目前，碳化硅外延生長已經實現了商業化，通常采用CVD(化學氣相沉積)的方法來生長碳化硅外延晶片。隨著碳化硅半導體技術的進步，產業應用對碳化硅功率器件性能的要求越來越高，成本要求越來越低，大功率電力電子器件對碳化硅晶體和外延材料提出更高的要求和需求，提高備件利用率，降低生產成本成為碳化硅晶體發展的當務之急。

碳化硅外延爐是用來生長碳化硅外延晶片的反應室，目前主流的商業碳化硅外延爐，為了配合生產的需要，通常需要儲備很多易損備件以及增加備件清理人員，這無形中增加了生產成本，給企業帶來了較大負擔。例如德國Aixtron公司的2400或2800系列碳化硅外延爐，其反應室內部的備件多達上百個，而易損備件就有三十多個，其中之一的易損備件——半圓形蓋片(cover?disc?outside)，參照圖1所示，主要用于反應室進氣端及襯底片之間，由于所處溫區溫場跨度較大，進出氣體在半圓形蓋片上會留下沉積的附著物，這些附著物的主份復雜，并且半圓形蓋片材質為石墨，在備件維護時沉積附著物的區域難以徹底清理干凈，導致其使用壽命約40～50爐，而且每次更換新的半圓形蓋片時，都要對備件的進行烘烤以除去其表面附著的水汽等雜質，這無疑降低了生產效率，同時也增加的生產的成本。

有鑒于此，本發明人對上述碳化硅外延爐的半圓形蓋片進行改進，特別研制出一種便于清洗且更耐用的碳化硅外延爐的半圓形蓋片，本案由此產生。

發明內容

本發明的目的在于提供一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片，其能夠提高碳化硅外延爐的半圓形蓋片的利用率和碳化硅外延晶片的生產效率，降低生產成本。

為了實現上述目的，本發明的技術方案如下：

一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片，包括大蓋片和小蓋片；大蓋片和小蓋片均為圓環形狀，大蓋片由兩個半圓環蓋片拼接而成，大蓋片中間形成一個圓環形凹槽，小蓋片由復數個扇形圓環蓋片拼接而成，小蓋片安裝在大蓋片的圓環形凹槽內。

所述小蓋片材質為碳化硅。

所述小蓋片直徑小于或等于大蓋片直徑。

采用上述方案后，本發明在大蓋片上對應的雜質沉積區域設置便于揭取的小蓋片，使沉積物覆蓋著小蓋片上，在清洗蓋片是只需將小蓋片取出，替換為新的小蓋片，對取出的小蓋片全面清洗，小蓋片中扇形圓環蓋片可根據需要設定其數量，使蓋片的清洗效率最大化，同時對小蓋片的清洗更為徹底，進而半圓形蓋片備件的使用壽命更長，不需要經常更換，降低了碳化硅外延爐的維護成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現有半圓形蓋片的結構示意圖；

圖2是本發明實施例一的俯視圖；

圖3是本發明實施例二的俯視圖。

標號說明

大蓋片1，圓環形凹槽11，半圓環蓋片2，小蓋片3，扇形圓環蓋片4。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

實施例一：

如圖2所示，本發明揭示的一種碳化硅外延爐的半圓形蓋片，包括大蓋片1和小蓋片2；大蓋片1和小蓋片2均為圓環形狀，大蓋片1由兩個半圓環蓋片2拼接而成，大蓋片1中間形成一個圓環形凹槽11，小蓋片3由復數個扇形圓環蓋片4拼接而成，本實施例的小蓋片3由扇形圓環蓋片4拼接而成，由兩個小蓋片3安裝在大蓋片1的圓環形凹槽內。

小蓋片材質為碳化硅，因為碳化硅可以直接進行清洗處理和烘干，則碳化硅小蓋片能夠進一步提高半圓形蓋片的清洗效率。

小蓋片3直徑小于或等于大蓋片1直徑，本實施例小蓋片3的直徑小于大蓋片1的直徑，在半圓形蓋片沉積物覆蓋區域集中在中間時，小蓋片3只需兩個扇形圓環蓋片4組成，以節省材料及清洗時間。

實施例二：