[發明專利]OLED器件及OLED器件的制作方法在審
| 申請號: | 201510015773.1 | 申請日: | 2015-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN104600206A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 陳兵 | 申請(專利權)人: | 昆山維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人: | 程殿軍 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 器件 制作方法 | ||
技術領域
本發明屬于OLED顯示技術領域,更具體地,涉及一種OLED器件及OLED器件的制作方法。
背景技術
OLED器件通常這樣構成:透光的第一電極(透明電極)、淀積在第一電極上的OLED介質、以及位于OLED介質上面的第二電極(金屬電極)。透明電極作為器件的陽極層,金屬電極作為器件的陰極。給透明電極施加高電平,給金屬電極施加低電平使器件發光。一組彼此平行的陽極層(陰極)與一組與之垂直的彼此平行的陰極(陽極層)構成二維X-Y尋址矩陣。
如圖1所示的目前的OLED光刻工藝,在玻璃基板12上生成陽極層11,絕緣層14使用正性光刻膠(正梯形)完成,隔離柱13使用負性光刻膠制作(倒梯形)完成。正性光刻膠為不透明的,所以目前的OLED器件無法實現全透明顯示。
發明內容
為了克服現有技術中的上述不足之處,尤其是要解決無法全透明的技術問題,本發明提供了如下的技術方案:
根據本發明的一方面,提供了一種OLED器件,其包括透明的玻璃基板、呈復數條間隔排列于所述玻璃基板上的透明的陽極層、分布于所述陽極層之間且呈復數條間隔排列于所述玻璃基板上的絕緣層,及呈復數條且對應布設于所述絕緣層上的隔離柱上;所述絕緣層和隔離柱的材料均為透明負性光刻膠,且所述絕緣層每條的截面形狀均為正梯形或正方形。
進一步地,所述絕緣層每條的截面形狀為正梯形時,正梯形中腰與上邊的角度為90度-120度。
進一步地,所述OLED器件還包括布設于所述陽極層且位于所述絕緣層之間和所述隔離柱之間的有機發光層、布設于所述有機發光層和所述隔離柱上的陰極層和位于所述陰極層上的封裝蓋板,所述陰極層和封裝層的材料均為透明材料。
進一步地,所述陽極層為ITO層,所述陰極層材料為鎂銀合金。
進一步地,所述絕緣層的厚度為1.5um。
進一步地,所述玻璃基板的厚度為0.5-0.7mm,陽極層的厚度為150nm,隔離柱的厚度為3.2-3.9um。
根據本發明的另一方面,提供了一種OLED器件的制作方法,包括如下步驟:
(1)提供透明玻璃基板;
(2)在所述玻璃基板上形成的透明陽極層,所述陽極層呈復數條間隔排列;
(3)在所述玻璃基板上涂布透明負性光刻膠制作絕緣層,所述絕緣層分布于所述陽極層之間且呈復數條間隔排列,所述絕緣層每條的截面形狀均為正梯形或正方形;
(4)在所述絕緣層上涂布負性光刻膠制作隔離柱。
進一步地,所述步驟(3)中形狀為正梯形或正方形的絕緣層的制作包括如下步驟:
在110~125攝氏度下對透明負性光刻膠進行預烘,預烘時間為125~140秒;
對透明負性光刻膠曝光,曝光量為30~50mj/com;
對透明負性光刻膠進行烘烤,時間為150~250秒,溫度為115攝氏度~120攝氏度;
對透明負性光刻膠進行顯影,顯影時間1~2分鐘;
對負性透明光刻膠在220~250攝氏度條件下,固化500~600秒。
進一步地,在所述步驟(2)還包括在清洗干凈陽極層上再鍍一層透明導電膜,形成雙層透明導電膜。
進一步地,所述雙層透明導電膜的材料為Mo/Al/Mo和ITO。
本發明具有如下的有益效果:
(1)OLED器件中,使用透明的負性光刻膠制作絕緣層與隔離柱。由于透明負性光刻膠透過率在90%以上,從而能實現顯示區域全透明。
(2)整合了現有OLED光刻工藝,使目前兩種光刻膠應用工藝僅由一種光刻膠就可以實現,減少了備料,節省了成本,提高了生產效率;
(3)在使用透明的負性光刻膠制作絕緣層與隔離柱的過程中,通過增加與烘烤溫度和曝光后烘烤溫度的方式,降低了電極粘附一面光刻膠與顯影液反映速率,溫度高顯影慢,將絕緣層形成為正梯形或正方形,可解決現有工藝用透明光刻膠制作絕緣層導致行方向陰極線路無法導通的問題。
附圖說明
圖1示出了在目前的OLED光刻工藝下制成的基板結構;
圖2示出了根據本發明的優選實施例的OLED器件的部分結構示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





