[發明專利]OLED器件及OLED器件的制作方法在審
| 申請號: | 201510015773.1 | 申請日: | 2015-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN104600206A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 陳兵 | 申請(專利權)人: | 昆山維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人: | 程殿軍 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 器件 制作方法 | ||
1.一種OLED器件,其包括透明的玻璃基板、呈復數條間隔排列于所述玻璃基板上的透明的陽極層、分布于所述陽極層之間且呈復數條間隔排列于所述玻璃基板上的絕緣層,及呈復數條且對應布設于所述絕緣層上的隔離柱上;其特征在于,所述絕緣層和隔離柱的材料均為透明負性光刻膠,且所述絕緣層每條的截面形狀均為正梯形或正方形。
2.根據權利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述絕緣層每條的截面形狀為正梯形時,正梯形中腰與上邊的角度為90度-120度。
3.根據權利要求3所述的OLED器件,其特征在于,所述OLED器件還包括布設于所述陽極層且位于所述絕緣層之間和所述隔離柱之間的有機發光層、布設于所述有機發光層和所述隔離柱上的陰極層和位于所述陰極層上的封裝蓋板,所述陰極層和封裝層的材料均為透明材料。
4.根據權利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述陽極層為ITO層,所述陰極層材料為鎂銀合金。
5.根據權利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述絕緣層的厚度為1.5um。
6.根據權利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述玻璃基板的厚度為0.5-0.7mm,陽極層的厚度為150nm,隔離柱的厚度為3.2-3.9um。
7.一種OLED器件的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)提供透明玻璃基板;
(2)在所述玻璃基板上形成的透明陽極層,所述陽極層呈復數條間隔排列;
(3)在所述玻璃基板上涂布透明負性光刻膠制作絕緣層,所述絕緣層分布于所述陽極層之間且呈復數條間隔排列,所述絕緣層每條的截面形狀均為正梯形或正方形;
(4)在所述絕緣層上涂布負性光刻膠制作隔離柱。
8.根據權利要求7所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,所述步驟(3)中絕緣層的制作包括如下步驟:
在110~125攝氏度下對透明負性光刻膠進行預烘,預烘時間為125~140秒;
對透明負性光刻膠曝光,曝光量為30~50mj/com;
對透明負性光刻膠進行烘烤,時間為150~250秒,溫度為115攝氏度~120攝氏度;
對透明負性光刻膠進行顯影,顯影時間1~2分鐘;
對透明負性光刻膠在220~250攝氏度條件下,固化500~600秒。
9.根據權利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述步驟(2)還包括在清洗干凈陽極層上再鍍一層透明導電膜,形成雙層透明導電膜。
10.根據權利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述雙層透明導電膜的材料為Mo/Al/Mo或ITO。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





