[其他]用于涂布基板的設備

有效

• 申請號: 201490001611.1
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN208791745U
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 丹尼爾·塞韋林;馬庫斯·本德;馬庫斯·哈尼卡;拉爾夫·林登貝格
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

根據實施方式，提供在真空處理腔室中涂布基板的設備。設備包含真空處理腔室。所述真空處理腔室包含濺射組件。所述濺射組件包含濺射源。所述濺射組件可以相對于所述真空處理腔室的平移運動的方式移動。設備包含功率源用于向所述濺射源施加功率。設備進一步包含控制器，用于依據所述真空處理腔室中的所述濺射組件或所述濺射源的當前位置，來控制從下述內容中的至少一個：由所述電源施加到所述濺射源的所述功率、由所述電源施加到所述濺射源的電壓、以及由所述電源施加到所述濺射源的電流。

技術領域

本公開內容涉及一種用于在真空處理腔室中涂布基板的設備，且特別涉及一種用于在基板上形成至少一層濺射材料的設備。特別地，此設備包括濺射組件，濺射組件具有用于涂布基板的至少一個濺射源。更特別地，本公開內容的至少一些構思涉及磁控濺射，特別是反應濺射或惰性濺射。至少一個濺射源的靶材可例如為可旋轉圓筒狀靶材。

背景技術

在許多技術領域中，在基板上形成具有高均勻性的層(即在延伸的表面上覆蓋有均勻的厚度)是一項重要的課題。例如，在薄膜晶體管(TFTs)的領域中，厚度均勻性是可靠制造顯示器金屬接線的關鍵所在。此外，均勻的層通常有利于制造的再現性。

一種在基板上形成層的方法為濺射，濺射在不同的制造領域中已成為一種有價值的方法，例如在TFTs的制造中。在濺射期間，原子通過帶有能量的粒子(例如惰性或反應氣體的能量化離子)轟擊從靶材材料擊出。因此，擊出的原子可沉積在基板上，從而可形成濺射材料的層。

然而，通過濺射形成層可能由于例如靶材及/或基板的幾何形狀而破壞高均勻性需求。特別是，由于濺射材料不規則的空間分布，可能難以實現大范圍的基板上濺射材料的均勻層。基板上的多種靶材的供應可改善層的均勻性。另一種選擇是，在某些外部位置及起始位置(zero-position)之間以規律的角速度旋轉磁控濺射陰極的磁體。然而，特別是對于一些對層均勻性要求較高的應用而言，依此實現的層均勻性可能并不足夠。

因此，需要進一步系統，以促進高度均勻的濺射材料層。

實用新型內容

根據一個實施方式，提出一種用于涂布基板的設備。設備包括真空處理腔室。真空處理腔室包括濺射組件。濺射組件包括濺射源。濺射組件在相對于真空處理腔室的平移運動是可移動的。設備包括電源，用以供應功率至濺射源。設備進一步包括控制器，控制器經構造用以依據真空處理腔室中的濺射組件或濺射源的當前位置，來控制下述內容中的至少一個：由電源施加到濺射源的功率、由電源施加到濺射源的電壓、以及由電源施加到濺射源的電流。

在設備中，所述濺射源包括可旋轉靶材。

在設備中，所述平移運動平行于所述基板引導系統。

設備包括設置于所述真空處理腔室中的基板引導系統，所述基板引導系統經設置用于在涂布期間支撐所述基板，并用于將所述基板移入所述真空處理腔室及移出所述真空處理腔室，其中所述平移運動平行于所述基板引導系統。

設備包括設置于所述真空處理腔室中的基板引導系統，所述基板引導系統經設置用于在涂布期間支撐所述基板，并用于將所述基板移入所述真空處理腔室及移出所述真空處理腔室，其中所述平移運動平行于所述基板引導系統。

設備包括耦接至所述濺射組件的驅動系統，其中所述驅動系統經構造用于實現所述濺射組件的所述平移運動，其中所述控制器耦接至所述驅動系統，用以控制所述濺射組件的所述平移運動。

設備包括耦接至所述濺射組件的驅動系統，其中所述驅動系統經構造用于實現所述濺射組件的所述平移運動，其中所述控制器耦接至所述驅動系統，用以控制所述濺射組件的所述平移運動。

在設備中，其中所述濺射源經構造，使得所述濺射源在第一位置中不面對所述基板，并且其中所述濺射源經構造，使得所述濺射源在第二位置中面對所述基板。