[其他]靶材布置和處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201490001521.2 | 申請日: | 2014-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN206858649U | 公開(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | F·施納朋伯格 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/56;H01J37/34 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 布置 處理 設(shè)備 | ||
1.一種用于處理設(shè)備(105;107)的靶材布置(100;101;102;103;104;106),所述靶材布置包括:
靶材支座(110),所述靶材支座配置成用于支撐非平面靶材材料(120),所述非平面靶材材料沿一長度延伸,并具有一表面,所述表面具有圓弧的形式,其中所述弧的長度定義為(Θ/180)π*R,其中Θ<360°,其中所述靶材支座(110)包括真空側(cè)(130)和大氣側(cè)(140);并且
其中所述靶材支座提供中空區(qū)段(115),從而允許至少部分地將磁體組件容納在所述靶材支座中。
2.如權(quán)利要求1所述的靶材布置,進(jìn)一步包括磁體組件(117),所述磁體組件配置成用于從所述靶材材料(120)進(jìn)行磁控管濺射。
3.如權(quán)利要求1所述的靶材布置,進(jìn)一步包括磁體組件(117),所述磁體組件配置成用于從在沿所述靶材支座的長度的第一方向上延伸的靶材材料(120)進(jìn)行磁控管濺射。
4.如權(quán)利要求3所述的靶材布置,其中所述磁體組件配置成用于至少30°角度的旋轉(zhuǎn)運動。
5.如權(quán)利要求4所述的靶材布置,其中所述旋轉(zhuǎn)運動的旋轉(zhuǎn)軸基本上平行于所述第一方向。
6.如權(quán)利要求2或3所述的靶材布置,其中所述磁體組件包括三個磁體元件。
7.如權(quán)利要求6所述的靶材布置,其中所述三個磁體元件沿一線布置,從而允許所述三個磁體元件各都具有至所述非平面靶材材料的相同距離。
8.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的靶材布置,進(jìn)一步包括靶材材料,所述靶材材料沿一長度延伸,并且具有彎曲的表面。
9.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的靶材布置,進(jìn)一步包括靶材材料,所述靶材材料沿一長度延伸,并且具有圓、橢圓或拋物線的弧的形式的表面。
10.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的靶材布置,其中所述靶材支座(110)包括板狀底座(111)以及從所述板狀底座(111)延伸的結(jié)構(gòu)(112;113)。
11.如權(quán)利要求2或3所述的靶材布置,進(jìn)一步包括升舉裝置,用于保持所述真空側(cè)(130)處的所述靶材材料的所述表面與所述磁體組件之間的距離恒定。
12.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的靶材布置,進(jìn)一步包括設(shè)在所述靶材支座上的靶材材料,其中所述靶材支座和所述靶材材料中的至少一者具有半圓柱管的形狀。
13.一種用于處理設(shè)備(105;107)的靶材布置(100;101;102;103;104;106),所述靶材布置包括:
靶材支座(110),所述靶材支座配置成用于支撐非平面靶材材料(120),所述非平面靶材材料沿一長度延伸,并具有一表面,所述表面具有圓弧的形式,其中所述弧的長度定義為(Θ/180)π*R,其中Θ<360°,其中所述靶材支座(110)包括真空側(cè)(130)和大氣側(cè)(140),
其中所述靶材支座提供中空區(qū)段(115),從而允許至少部分地將磁體組件容納在所述靶材支座中,
所述靶材布置進(jìn)一步包括磁體組件(117),所述磁體組件配置成用于從所述靶材材料(120)進(jìn)行磁控管濺射,其中所述磁體組件配置成用于至少30°角度的旋轉(zhuǎn)運動,
所述靶材布置進(jìn)一步包括磁體組件(117),所述磁體組件配置成用于從在沿所述靶材支座的長度的第一方向上延伸的靶材材料(120)進(jìn)行磁控管濺射,
其中所述旋轉(zhuǎn)運動的旋轉(zhuǎn)軸基本上平行于所述第一方向,
其中所述磁體組件包括三個磁體元件,
其中所述三個磁體元件沿一線布置,從而允許所述三個磁體元件各都具有至所述非平面靶材材料的相同距離,并且所述靶材布置進(jìn)一步包括靶材材料,所述靶材材料沿一長度延伸,并且具有彎曲的表面。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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