[其他]靶材布置和處理設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201490001521.2
• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN206858649U
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: F·施納朋伯格
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/56;H01J37/34
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 侯穎媖

技術(shù)領(lǐng)域

實施例涉及一種靶材布置以及一種具有靶材布置的處理設(shè)備。實施例尤其是涉及一種用于真空處理設(shè)備的靶材布置以及一種具有靶材布置的真空處理設(shè)備，特別是關(guān)于一種用于濺射設(shè)備的靶材布置以及一種具有靶材布置的濺射設(shè)備。

背景技術(shù)

在許多應(yīng)用中，在基板上沉積多個層，例如，在玻璃基板上沉積多個薄層。經(jīng)常在涂覆設(shè)備的不同腔室中涂覆基板。可在真空中涂覆基板。

已知用于在基板上沉積材料的若干方法。舉例來說，基板可通過物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)工藝、化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)工藝或等離子體增強型化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)工藝等來涂覆。在基板所在的工藝設(shè)備或工藝腔室中執(zhí)行工藝。在設(shè)備中提供沉積材料。多種材料以及所述多種材料的氧化物、氮化物或碳化物可用于在基板上的沉積。所涂覆材料可用于若干應(yīng)用以及若干技術(shù)領(lǐng)域。舉例來說，經(jīng)常通過物理氣相沉積(PVD)工藝來涂覆用于顯示器的基板。進一步的應(yīng)用包括絕緣面板、有機發(fā)光二極管(OLED)面板、具有薄膜晶體管(thin film transistor，TFT)、彩色濾光片等。

對于PVD工藝，沉積材料能以固相存在于靶材中。通過以高能粒子轟擊靶材，靶材材料(即，待沉積的材料)的原子從靶材射出。靶材材料的原子沉積在待涂覆的基板上。在PVD工藝中，能以不同方式布置濺射材料(即，待沉積在基板上的材料)。舉例來說，靶材可由待沉積的材料制成，或可具有背襯元件，待沉積的材料固定到所述背襯元件。包括待沉積材料的靶材被支撐或固定在沉積腔室中的預(yù)定位置中。在使用可旋轉(zhuǎn)靶材的情況下，靶材連接至旋轉(zhuǎn)軸或連接元件，所述連接元件連接所述軸與所述靶材。

例如，需要在腔室中容易且快速地裝配靶材，以便減少沉積系統(tǒng)的停工時間。使用可旋轉(zhuǎn)靶材有益于層均勻性；然而，通過接取處理腔室來實施裝配可旋轉(zhuǎn)靶材，這是耗時的。鑒于上述內(nèi)容，目標(biāo)在于提供克服本領(lǐng)域中的問題中的至少一些問題的一種靶材布置以及一種具有靶材布置的處理設(shè)備。

實用新型內(nèi)容

鑒于上述內(nèi)容，提供根據(jù)獨立權(quán)利要求的一種靶材布置以及一種處理腔室。通過從屬權(quán)利要求、說明書和所附附圖，進一步的方面、優(yōu)點和特征是明顯的。

根據(jù)一個實施例，提供一種用于處理設(shè)備的靶材布置。所述靶材布置包括靶材支座，所述靶材支座配置成用于支撐非平面靶材材料。所述靶材支座包括真空側(cè)和大氣側(cè)。

根據(jù)另一實施例，提供一種用于處理基板的處理設(shè)備。所述處理設(shè)備包括處理腔室和基板支撐件，所述處理腔室具有外部和內(nèi)部，所述處理腔室適用于在工藝期間容納基板，所述基板支撐件用于待處理的基板。處理腔室適用于容納根據(jù)本文中所述的實施例的靶材布置。

實施例也針對用于執(zhí)行所公開的方法的設(shè)備，并且包括用于執(zhí)行每一個所述的方法特征的設(shè)備部件。這些方法特征可通過硬件部件、由適當(dāng)?shù)能浖幊痰挠嬎銠C、由這兩者的任何結(jié)合或以任何其他方式來執(zhí)行。

附圖說明

因此，為了可詳細地理解上述的特征，可參考實施例進行對上文簡要概述的更特定的描述。附圖是關(guān)于實施例，并且在下文中描述：

圖1a示出根據(jù)本文中所述的實施例的靶材布置的示意圖；

圖1b示出根據(jù)本文中所述的實施例的靶材布置的示意圖；

圖1c示出根據(jù)本文中所述的實施例的靶材布置的示意圖；

圖1d示出根據(jù)本文中所述的實施例的靶材布置的背側(cè)的示意圖；

圖2示出根據(jù)本文中所述的實施例的靶材布置的示意圖；

圖3a示出根據(jù)本文中所述的實施例的具有磁體組件的靶材布置的示意圖；

圖3b示出圖3a中所示的靶材布置一區(qū)段的放大視圖；

圖4a至圖4c示出根據(jù)本文中所述的實施例的靶材布置的多個部分的示意圖；

圖5a示出根據(jù)本文中所述的實施例的包括靶材布置的處理設(shè)備的示意圖；

圖5b示出圖5a中所示的處理設(shè)備的側(cè)視圖的示意圖；

圖5c示出圖5a的處理設(shè)備沿線A-A的示意性剖面圖；

圖5d示出圖5a中所示的處理設(shè)備的后視圖的示意圖；

圖6示出根據(jù)本文中所述的實施例的包括靶材布置的處理設(shè)備的示意圖；以及