[其他]光學(xué)模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201490000648.2
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN205355527U
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石毛悠太;早水尚樹
• 申請（專利權(quán)）人: 古河電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉文海

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種光學(xué)模塊。

背景技術(shù)

作為將多個光學(xué)元件模塊化的光學(xué)模塊，例如公開有半導(dǎo)體激光模塊(例如專利文獻1～3)。專利文獻1～3所公開的半導(dǎo)體激光模塊具有利用樹脂性的粘接劑而將與半導(dǎo)體激光元件光學(xué)耦合的透鏡粘接固定在載置有半導(dǎo)體激光元件的基臺上的結(jié)構(gòu)。

在此，當對透鏡進行粘接固定的粘接劑流入半導(dǎo)體激光元件的激光輸出端側(cè)而進入光學(xué)耦合路時，存在半導(dǎo)體激光元件破損、經(jīng)由透鏡輸出的激光的強度減弱、或者由于激光能量而發(fā)生粘接劑燒壞等的劣化這樣的問題。為了解決該問題，在專利文獻1～3中，在粘接區(qū)域與半導(dǎo)體激光元件之間設(shè)置切口，或者將粘接區(qū)域設(shè)在半導(dǎo)體激光元件的兩個側(cè)面的位置。

在先技術(shù)文獻

專利文獻1：日本特開2004-214326號公報

專利文獻2：日本特開2004-087776號公報

專利文獻3：日本特開2004-087774號公報

專利文獻4：日本專利第5075165號公報

實用新型內(nèi)容

實用新型所要解決的課題

如上所述，當粘接劑進入光學(xué)耦合的兩個光學(xué)元件之間的光學(xué)耦合路時，產(chǎn)生光的強度的減弱、粘接劑的劣化這樣的問題。

本實用新型是于上述問題而完成的，其目的在于，提供一種防止了粘接劑進入光學(xué)耦合路的光學(xué)模塊。

用于解決課題的方案

為了解決上述的技術(shù)問題而實現(xiàn)目的，本實用新型的一個式所涉及的光學(xué)模塊的特征在于，具備：基臺部，其具有基臺和在該基臺的表面上形成的表面金屬層；半導(dǎo)體元件，其載置在所述基臺部的所述表面金屬層上；以及光學(xué)元件，其與所述半導(dǎo)體元件光學(xué)耦合，所述光學(xué)元件在供所述半導(dǎo)體元件與所述光學(xué)元件光學(xué)耦合的一側(cè)的所述基臺的側(cè)面處，通過粘接劑而與所述基臺粘接，通過將所述表面金屬層的供所述半導(dǎo)體元件與所述光學(xué)元件光學(xué)耦合的一側(cè)的側(cè)面設(shè)置在相對于供所述半導(dǎo)體元件與所述光學(xué)元件光學(xué)耦合的一側(cè)的所述基臺的側(cè)面而后退的位置處，從而在所述基臺的表面上形成后退區(qū)域，在供所述基臺和所述光學(xué)元件粘接的粘接區(qū)域、與位于所述半導(dǎo)體元件的光輸出端面的下側(cè)的載置部之間，所述表面金屬層具有以防止所述粘接劑在所述后退區(qū)域中向所述載置部側(cè)流動的方式構(gòu)圖形成的粘接劑止流部。

另外，本實用新型的一個式所涉及的光學(xué)模塊的特征在于，所述粘接劑止流部由相對于所述基臺的側(cè)面的后退量比所述后退區(qū)域大的切口構(gòu)成。

另外，本實用新型的一個式所涉及的光學(xué)模塊的特征在于，所述粘接劑止流部由以堵塞所述后退區(qū)域的方式形成的突起部構(gòu)成。

另外，本實用新型的一個式所涉及的光學(xué)模塊的特征在于，在所述載置區(qū)域與所述粘接劑止流部之間，配置有以堵塞所述后退區(qū)域的方式形成的封鎖件。

另外，本實用新型的一個式所涉及的光學(xué)模塊的特征在于，所述粘接劑止流部離開所述半導(dǎo)體元件100μm以上。

另外，本實用新型的一個式所涉及的光學(xué)模塊的特征在于，所述表面金屬層的厚度為10μm以上。

另外，本實用新型的一個式所涉及的光學(xué)模塊的特征在于，所述基臺部還具有在與所述基臺的表面對置的背面上成的背面金屬層，所述表面金屬層以及所述背面金屬層的厚度設(shè)定為使所述基臺部與所述半導(dǎo)體元件之間的線膨脹系數(shù)差成為2ppm/K以下。

實用新型效果

根據(jù)本實用新型，起到防止粘接劑進入光學(xué)耦合路這樣的效果。

附圖說明

圖1是實施方式1所涉及的半導(dǎo)體激光模塊的示意性的立體圖。

圖2是圖1所示的半導(dǎo)體激光模塊的側(cè)視圖。

圖3是對粘接劑止流部的作用進行說明的圖。

圖4是實施方式2所涉及的半導(dǎo)體激光模塊的示意性的主要部分立體圖。

圖5是實施方式3所涉及的半導(dǎo)體激光模塊的示意性的主要部分立體圖。

圖6是表示使表面以及背面金屬層的厚度變化時的基臺的厚度與應(yīng)力之間的關(guān)系的圖。

圖7是實施方式4所涉及的半導(dǎo)體激光模塊的示意性的主要部分立體圖。

圖8是實施方式5所涉及的半導(dǎo)體激光模塊的示意性的立體圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本實用新型所涉及的光學(xué)模塊的實施方式進行詳細地說明。需要說明的是，并不通過該實施方式來限定該實用新型。另外，在各附圖中，對相同或?qū)?yīng)的構(gòu)成要素適當標注相同的附圖標記。另外，附圖是示意性的圖，應(yīng)注意各層的厚度、厚度的比率等與實際不同。另外，在附圖相互之間，也包含彼此的尺寸關(guān)系、比率不同的部分。