[其他]處理腔室及用于將熱線源耦接至該處理腔室的裝置有效
| 申請號: | 201490000460.8 | 申請日: | 2014-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN205177785U | 公開(公告)日: | 2016-04-20 |
| 發明(設計)人: | 喬·格里菲思·克魯茲;哈恩·阮;蘭迪·弗拉納;卡爾·阿姆斯特朗 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 用于 熱線 源耦接至 裝置 | ||
技術領域
本實用新型的實施方式一般涉及半導體基板處理。
背景技術
發明人已經觀察到,使用熱線源(hotwiresource)的傳統處理腔室通常包括燈絲(線)構造,燈絲(線)構造在沒有導致處理腔室的無法接受的停工期的情況下,是不容易改變或更換的。
因此,根據本實用新型的某些實施方式,發明人提供一種用于將熱線源耦接至處理腔室的裝置。
實用新型內容
使用熱線源的傳統處理腔室通常包括燈絲(線)構造,燈絲(線)構造在沒有導致處理腔室的無法接受的停工期的情況下,是不容易改變或更換的。為了克服上述缺陷,本實用新型提供一種用于將熱線源耦接至處理腔室的裝置。
本文提供一種用于將熱線源耦接至處理腔室的裝置。在某些實施方式中,一種用于將熱線源耦接至處理腔室的裝置可包括:殼體,所述殼體具有開放端與通孔,所述通孔穿過所述殼體的頂部與底部而形成;以及燈絲組件,所述燈絲組件被配置成設置于所述殼體內,所述燈絲組件具有框部與多個燈絲,所述多個燈絲設置成橫跨所述框部,其中當所述燈絲組件設置于所述殼體內時,所述燈絲組件的所述多個燈絲實質上平行于所述殼體的所述頂部與所述底部,且所述多個燈絲的至少一部分設置于所述殼體的所述通孔內。
在某些實施方式中,一種處理腔室可包括:腔室主體,所述腔室主體具有蓋子;熱線源,所述熱線源耦接至所述腔室主體,所述熱線源包括:殼體,所述殼體具有第一開放端與通孔,所述通孔穿過所述殼體的頂部與底部而形成,所述通孔被配置成對應于設置于所述處理腔室內的噴頭,其中所述殼體的所述頂部被配置成耦接于所述腔室主體的所述蓋子,且所述殼體的所述底部被配置成耦接于所述腔室主體;以及燈絲組件,所述燈絲組件被配置成設置于所述殼體內,所述燈絲組件具有框部與多個燈絲,所述多個燈絲設置成橫跨所述框部,其中當所述燈絲組件設置于所述殼體內時,所述燈絲組件的所述多個燈絲實質上平行于所述殼體的所述頂部與所述底部,且所述多個燈絲的至少一部分設置于所述殼體的所述通孔內。
本實用新型的其他與進一步實施方式敘述于下。
本實用新型裝置可有利地提供可以容易移除且更換的燈絲組件,由此允許被不同地配置的燈絲組件能被安裝在處理腔室內,以執行期望的處理。另外,本實用新型裝置可促成原本并非配置來與熱線源一起使用的處理腔室的翻新改進。
附圖說明
通過參照附圖中繪示的本實用新型的例示實施方式,可理解在下面更詳細討論且簡要概述于上的本實用新型的實施方式。但是,注意到,附圖只例示本實用新型的典型實施方式,因此不視為限制本實用新型的范圍,因為本實用新型可容許其他等效實施方式。
圖1示出根據本實用新型的某些實施方式的用于將熱線源耦接至處理腔室的裝置。
圖2示出根據本實用新型的某些實施方式的用于將熱線源耦接至處理腔室的裝置的一部分。
圖3示出根據本實用新型的某些實施方式的用于將熱線源耦接至處理腔室的裝置的一部分。
圖3A示出根據本實用新型的某些實施方式的圖3中所示的裝置的細部。
圖4示出根據本實用新型的某些實施方式的處理腔室,所述處理腔室適于與用于將熱線源耦接至處理腔室的裝置一起使用。
為了助于理解,已經在任何可能的地方使用相同的元件符號來表示附圖中共同的相同元件。附圖未按比例繪制,且可以為了清楚加以簡化。預期一個實施方式的元件與特征可有利地并入其他實施方式中,而不用另外詳述。
具體實施方式
本文提供用于將熱線源耦接至處理腔室的裝置。在至少某些實施方式中,本實用新型裝置可有利地提供可以容易移除且更換的燈絲組件,由此允許被不同地配置的燈絲組件能被安裝在處理腔室內,以執行期望的處理。另外,本實用新型裝置可促成原本并非配置來與熱線源一起使用的處理腔室的翻新改進。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





