[發(fā)明專利]利用半導體器件的犧牲性阻擋層的選擇性沉積

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480083547.0
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN107004707B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設計）人: G·克洛斯特;S·B·克倫德寧;R·胡拉尼;S·S·廖;P·E·羅梅羅;F·格瑟特萊恩
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種半導體器件，包括：

半導體結構，其設置在半導體襯底上方；

隔離側壁，其設置在所述半導體結構旁邊以及所述半導體襯底上方；

高K電介質層，其直接設置在所述半導體結構的不止一側上，并且不設置在所述隔離側壁上，其中，所述高K電介質層包括鄰近所述隔離側壁設置的錐形或圓形端部，所述高K電介質層不接觸所述隔離側壁。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括柵極電極，所述柵極電極設置在所述高K電介質層上和所述隔離側壁的一部分上。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括設置在所述柵極電極與隔離層之間的分子片段層，所述隔離側壁是所述隔離層的側表面。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述分子片段層包括由磷、碳、氧、氮、硫、硅或氯原子的至少其中之一形成的懸空鍵。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體結構是從所述半導體襯底向上延伸的鰭狀物。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述不止一側包括所述鰭狀物的頂表面和所述鰭狀物的每個側壁的一部分。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括直接設置在所述半導體襯底的頂部上的淺溝槽隔離(STI)。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述高K電介質層包括緊鄰地設置在所述淺溝槽隔離上方的錐形或圓形端部，所述高K電介質層不接觸所述淺溝槽隔離。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述高K電介質層也設置在所述淺溝槽隔離上。

10.一種形成半導體器件的方法，包括：

提供設置在半導體襯底上方的半導體結構，所述半導體結構設置在隔離側壁旁邊；

至少在所述隔離側壁上沉積犧牲性阻擋層，暴露所述半導體結構；

在所述半導體結構上沉積高K電介質層，其中，所述高K電介質層包括鄰近所述隔離側壁設置的錐形或圓形端部，所述高K電介質層不接觸所述隔離側壁；以及

去除所述犧牲性阻擋層。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述犧牲性阻擋層是自組裝的單層(SAM)。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述自組裝的單層由能夠阻擋在所述隔離側壁上形成所述高K電介質層的分子形成。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述分子是選自于由十八烷基磷酸(ODPA)、1-十八烷硫醇(ODT)、十八烷基三氯硅烷(ODTCS)和硬脂酸(ODCA)組成的組中的分子。

14.根據權利要求10所述的方法，其中，去除所述犧牲性阻擋層包括熱處理或化學處理。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，在大于所述電介質層的沉積溫度的分解溫度下執(zhí)行所述熱處理。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，所述化學處理包括暴露于包括四甲基氫氧化銨(TMAH)的堿溶液。

17.根據權利要求10所述的方法，其中，去除所述犧牲性阻擋層產生至少設置在隔離層上的分子片段層，所述隔離側壁是所述隔離層的側表面。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述分子片段層包括選自于由磷、碳、氮、硫、硅和氯組成的組中的原子。