[發(fā)明專(zhuān)利]利用半導(dǎo)體器件的犧牲性阻擋層的選擇性沉積有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480083547.0 | 申請(qǐng)日： | 2014-12-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107004707B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | G·克洛斯特;S·B·克倫德寧;R·胡拉尼;S·S·廖;P·E·羅梅羅;F·格瑟特萊恩 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/78 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 陳松濤;王英 |
| 地址： | 美國(guó)加*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 利用 半導(dǎo)體器件 犧牲 阻擋 選擇性 沉積 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方；
隔離側(cè)壁，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)旁邊以及所述半導(dǎo)體襯底上方；
高K電介質(zhì)層，其直接設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的不止一側(cè)上，并且不設(shè)置在所述隔離側(cè)壁上，其中，所述高K電介質(zhì)層包括鄰近所述隔離側(cè)壁設(shè)置的錐形或圓形端部，所述高K電介質(zhì)層不接觸所述隔離側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括柵極電極，所述柵極電極設(shè)置在所述高K電介質(zhì)層上和所述隔離側(cè)壁的一部分上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括設(shè)置在所述柵極電極與隔離層之間的分子片段層，所述隔離側(cè)壁是所述隔離層的側(cè)表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述分子片段層包括由磷、碳、氧、氮、硫、硅或氯原子的至少其中之一形成的懸空鍵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是從所述半導(dǎo)體襯底向上延伸的鰭狀物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述不止一側(cè)包括所述鰭狀物的頂表面和所述鰭狀物的每個(gè)側(cè)壁的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括直接設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的頂部上的淺溝槽隔離(STI)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述高K電介質(zhì)層包括緊鄰地設(shè)置在所述淺溝槽隔離上方的錐形或圓形端部，所述高K電介質(zhì)層不接觸所述淺溝槽隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述高K電介質(zhì)層也設(shè)置在所述淺溝槽隔離上。
10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：
提供設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)置在隔離側(cè)壁旁邊；
至少在所述隔離側(cè)壁上沉積犧牲性阻擋層，暴露所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；
在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上沉積高K電介質(zhì)層，其中，所述高K電介質(zhì)層包括鄰近所述隔離側(cè)壁設(shè)置的錐形或圓形端部，所述高K電介質(zhì)層不接觸所述隔離側(cè)壁；以及
去除所述犧牲性阻擋層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述犧牲性阻擋層是自組裝的單層(SAM)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述自組裝的單層由能夠阻擋在所述隔離側(cè)壁上形成所述高K電介質(zhì)層的分子形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述分子是選自于由十八烷基磷酸(ODPA)、1-十八烷硫醇(ODT)、十八烷基三氯硅烷(ODTCS)和硬脂酸(ODCA)組成的組中的分子。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，去除所述犧牲性阻擋層包括熱處理或化學(xué)處理。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在大于所述電介質(zhì)層的沉積溫度的分解溫度下執(zhí)行所述熱處理。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述化學(xué)處理包括暴露于包括四甲基氫氧化銨(TMAH)的堿溶液。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，去除所述犧牲性阻擋層產(chǎn)生至少設(shè)置在隔離層上的分子片段層，所述隔離側(cè)壁是所述隔離層的側(cè)表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述分子片段層包括選自于由磷、碳、氮、硫、硅和氯組成的組中的原子。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
