[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201480082590.5
• 申請日: 2014-10-10
• 公開（公告）號: CN106796874B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 中田和成;松村民雄;寺崎芳明
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

作為第1磨削工序，由第1磨石(17)對晶片(1)的背面的外周部進行磨削而在外周部形成破碎層(19)。然后，作為第2磨削工序，將形成了破碎層(19)的外周部作為肋部(20)保留，并且由第1磨石(17)對晶片(1)的背面的中央部進行磨削而形成凹部(21)。然后，作為第3磨削工序，使用與第1磨石(17)相比磨粒粒徑小的第2磨石(22)對凹部(21)的底面進行磨削而將晶片(1)薄化。

技術領域

本發明涉及一種能夠抑制晶片加工時的晶片破損而不會使生產率下降的半導體裝置的制造方法。

背景技術

就LSI而言，進行了通過3維安裝等實現的封裝的高密度化，薄晶片化發展到工藝完成時的晶片厚度為25μm左右。另外，諸如IGBT(絕緣柵型雙極晶體管)、MOSFET(MOS型場效應晶體管)這樣的功率器件作為工業用電動機、汽車用電動機等的逆變器電路、大容量服務器的電源裝置、以及不間斷電源裝置等的半導體開關而被廣泛使用。對于這些功率半導體裝置，為了改善以導通特性等為代表的通電性能而將半導體襯底加工得薄。近年來，為了對成本方面、特性方面進行改善，使用極薄晶片工藝制造出半導體裝置，該極薄晶片工藝使通過FZ(Floating Zone)法而制作出的晶片薄型化至50μm左右。

通常，就晶片的薄型加工而言，使用通過背磨、拋光進行的研磨、以及用于將在機械研磨中產生的加工畸變去除的濕式蝕刻、干式蝕刻。并且，在對背面側通過離子注入、熱處理而形成擴散層后，通過濺射法等形成電極。在上述狀況下，晶片的背面加工時的晶片破裂的產生頻度變高。因此，關于晶片的薄型化，近年來，提出了將晶片外周部作為肋部而保留得較厚、僅將晶片中心部加工得較薄的加工方法(例如參照專利文獻1)。

通過使用上述的帶肋部的晶片，從而晶片的翹曲大幅度地得以緩和，工藝裝置處的晶片輸送變得容易。并且，在進行晶片的處理(handling)時，晶片的強度大幅度地提高，能夠減輕晶片的破裂、缺口。另外，針對上述帶肋部的晶片，還提出有下述方法，即，通過在從肋部至薄化部設置使晶片的厚度逐漸變薄的過渡區域，從而防止帶肋部的晶片在熱處理工序中的晶片破損(例如參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2007－19379號公報

專利文獻2：日本專利第5266869號說明書

發明內容

由于在形成肋部時，如果在肋部產生碎片(chipping)等缺陷，則晶片的強度下降，因此在晶片加工時發生晶片破損。另外，在設置過渡區域的情況下，由于在晶片的端部形成15度至45度的錐面，因此晶片外周部的能夠作為器件利用的有效區域減少，生產率下降。

本發明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于得到一種能夠抑制晶片加工時的晶片破損而不使生產率下降的半導體裝置的制造方法。

本發明所涉及的半導體裝置的制造方法的特征在于，具有下述工序，即：在晶片的表面形成多個半導體裝置的工序；第1磨削工序，由第1磨石對所述晶片的背面的外周部進行磨削而在所述外周部形成破碎層；第2磨削工序，將形成了所述破碎層的所述外周部作為肋部保留，并且由所述第1磨石對所述晶片的背面的中央部進行磨削而形成凹部；以及第3磨削工序，使用與所述第1磨石相比磨粒粒徑小的第2磨石對所述凹部的底面進行磨削而將所述晶片薄化。

發明的效果

在本發明中，在形成肋部前對晶片的背面的外周部進行磨削而導入破碎層。由此，能夠抑制成為晶片破裂起點的肋部的碎片，因此能夠抑制晶片加工時的晶片破損。另外，由于不需要像以往那樣在晶片的端部形成錐面，因此有效區域不會減少，生產率不會下降。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式1所涉及的背磨裝置的平面圖。

圖2是表示磨削工序的情況的剖視圖。

圖3是表示磨削工序的情況的俯視圖。