[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201480082590.5
• 申請日: 2014-10-10
• 公開（公告）號: CN106796874B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 中田和成;松村民雄;寺崎芳明
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序，即：

在晶片的表面形成多個半導體裝置的工序；

第1磨削工序，由第1磨石對所述晶片的背面的外周部進行磨削而在所述外周部形成破碎層；

第2磨削工序，將形成了所述破碎層的所述外周部作為肋部保留，并且由所述第1磨石對所述晶片的背面的中央部進行磨削而形成凹部；以及

第3磨削工序，使用與所述第1磨石相比磨粒粒徑小的第2磨石對所述凹部的底面進行磨削而將所述晶片薄化，

在所述第1磨削工序中，不對所述晶片的背面的所述中央部進行磨削而是作為未磨削區域保留，

在所述第2磨削工序中，對所述第1磨石和所述晶片的相對位置進行變更而對所述未磨削區域進行磨削。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

還具有在所述第3磨削工序后通過濕式蝕刻而將所述破碎層去除的工序。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

基于對所述未磨削區域的寬度進行測定得到的值而決定所述第2磨削工序中的所述第1磨石的位置。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

對晶片影像進行圖像處理而對所述未磨削區域的寬度進行測定。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述晶片的徑向上對所述未磨削區域的臺階進行測定而求出所述未磨削區域的寬度。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

導入所述破碎層的工序中的磨削量大于或等于1μm。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第1磨石的平均粒徑大于或等于20μm且小于或等于100μm。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第2磨石的平均粒徑小于或等于10μm。