[發明專利]具有嵌入式橋接互連件的半導體封裝

有效

• 申請號: 201480081195.5
• 申請日: 2014-09-19
• 公開（公告）號: CN107004661B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: K-O·李
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體封裝，包括：

堆疊材料；

嵌入在所述堆疊材料中的橋接互連件，所述橋接互連件具有第一側和與所述第一側相反的第二側，所述第一側具有設置在所述半導體封裝的第一側上的多個導電墊，其中所述半導體封裝具有相反的第二側，其中所述導電墊具有第一面和與所述第一面相反的第二面，其中所述第二面接觸所述橋接互連件的主體；以及

延伸穿過所述堆疊材料的一部分的過孔，所述過孔具有比所述過孔的第二端部更窄的第一端部，所述過孔的第一端部與設置在所述半導體封裝的第一側上的觸點耦合，其中所述觸點由與所述導電墊的材料不同的材料形成并且具有第一面和相反的第二面；

其中所述橋接互連件的導電墊的第一面處于與所述觸點的第一面大體相同的平面，

其中：

所述橋接互連件布置在所述半導體封裝中，使得所述橋接互連件的第一側和所述半導體封裝的第一側之間的距離小于所述橋接互連件的第二側和所述半導體封裝的第一側之間的距離，以及

所述過孔布置在所述半導體封裝中，使得所述過孔的第一端部和所述半導體封裝的第一側之間的距離小于所述過孔的第二端部和所述半導體封裝的第一側之間的距離。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括：

設置在所述半導體封裝的第二側上的阻焊劑。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第二側為第一層互連側，并且所述半導體封裝的第一側為第二層互連側。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝，進一步包括：

設置在所述第二層互連側上的阻焊劑。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中設置在所述半導體封裝的第一側上的所述觸點和所述導電墊被定位用于與一個或多個管芯耦合。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述觸點包括鎳。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述導電墊涂覆鎳。

8.根據權利要求1至權利要求7中任一項所述的半導體封裝，進一步包括：

設置在所述導電墊中的每個上的焊料凸塊。

9.根據權利要求1至權利要求7中任一項所述的半導體封裝，其中所述堆疊材料是有機堆疊材料。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝，其中所述橋接互連件是硅橋。

11.根據權利要求1至權利要求7中任一項所述的半導體封裝，其中所述導電墊不與所述堆疊材料中任何過孔電接觸。

12.根據權利要求1至權利要求7中任一項所述的半導體封裝，其中犧牲核心設置在所述半導體封裝和第二半導體封裝之間，所述第二半導體封裝跨所述犧牲核心形成所述半導體封裝的鏡像。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝，其中所述半導體封裝的第一側的至少一部分具有與所述犧牲核心的表面的輪廓互補的輪廓。